供应 场效应管 BSC150N03LDG,150N03LD,BSC150N03
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | BSC150N03LDG,PG-TSDSON-8,双N,30V,20A,15mΩ. | |
| 品牌/商标： | INFINEON（英飞凌） | |
| 封装形式： | QFN-8 5*6/PG-TDSON-8 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 5000/盘 |
产品型号:BSC150N03LDG
封装:QFN-8 5*6/PG-TDSON-8
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30
夹断电压VGS(V):±20
雪崩能量EAS(mJ):10
漏极电流Id(A):20
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.015 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):2.2
功率PD(W):26
极间电容Ciss(PF):850 typ.
通道极性:双N
低频跨导gFS(s)：35
温度(℃): -55 ~150
描述:30V,20A, Dual N-channel, logic level OptiMOS Power-Transistor
- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 AP83T03GH-HF,83T03GH,AP83T03GH
信息内容：产品型号:AP83T03GH-HF 封装:SOT-252 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):75 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.006 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):3 功率PD(W):60 输入电容Ciss(PF):1150 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：55 单脉冲雪崩能量EAS(mJ): 导通延迟时间Td(on)(ns):9.5 typ. 上升时间Tr(ns):86 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):24 typ. 下降时间Tf(ns):14 typ. 温度(℃): -55 ~175 描述:30V,75A N-沟道增强型场效应晶体管
供应 场效应管 BSC034N03LSG,034N03LS,BSC034N03
信息内容：型 号：BSC034N03LSG 标 记: 034N03LS 类 型：场效应管 通道极性: N通道 封 装：QFN-8 5*6/PG-TDSON-8 备 注： Parameter Symbol Conditions Value Unit Drain-source breakdown voltage V(BR)DSS VGS=0V,ID=1mA 30 V Continuous drain current ID VGS=10V,TC=25℃ 100 A Pulsed drain current IDM TC=25℃ 400 A Avalanche energy, single pulse EAS ID=50A, RGS=25Ω ...
