供应 场效应管 AP83T03GH-HF,83T03GH,AP83T03GH
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | AP83T03GH-HF,SOT-252,SMD/MOS,N场,30V,75A,0.006Ω | |
| 品牌/商标： | AP/富鼎 | |
| 封装形式： | SOT-252 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 2500/盘 |
产品型号:AP83T03GH-HF
封装:SOT-252
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):75
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.006 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):3
功率PD(W):60
输入电容Ciss(PF):1150 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：55
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):
导通延迟时间Td(on)(ns):9.5 typ.
上升时间Tr(ns):86 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):24 typ.
下降时间Tf(ns):14 typ.
温度(℃): -55 ~175
描述:30V,75A N-沟道增强型场效应晶体管
- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 BSC034N03LSG,034N03LS,BSC034N03
信息内容：型 号：BSC034N03LSG 标 记: 034N03LS 类 型：场效应管 通道极性: N通道 封 装：QFN-8 5*6/PG-TDSON-8 备 注： Parameter Symbol Conditions Value Unit Drain-source breakdown voltage V(BR)DSS VGS=0V,ID=1mA 30 V Continuous drain current ID VGS=10V,TC=25℃ 100 A Pulsed drain current IDM TC=25℃ 400 A Avalanche energy, single pulse EAS ID=50A, RGS=25Ω ...
供应 场效应管 BSZ160N10NS3G,160N10N
信息内容：产品型号:BSZ160N10NS3G 封装:QFN-8 3.3*3.3/PG-TSDSON-8 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):100 夹断电压VGS(V):±20 雪崩能量EAS(mJ):80 漏极电流Id(A):40 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.016 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):3.5 功率PD(W):63 极间电容Ciss(PF):1300 通道极性:N通道 低频跨导gFS(s)：33 温度(℃): -55 ~150 描述:100V,40A,OptiMOS Power-Transistor Features ? Ideal for high frequency switching ? Optimized technology for DC/DC converters ? Excellent gate charge x RDS(on) product (FOM) ? N-channel, normal level ? 100% avalanche tested ? Pb-free plating; RoHS compliant ? Qualified according to JEDEC for target applications (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
