供应 场效应管 BSZ160N10NS3G,160N10N
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | BSZ160N10NS3G,QFN-8 3.3*3.3/PG-TSDSON-8,SMD/MOS,N场,100V,40A,0.016Ω. | |
| 品牌/商标： | INFINEON（英飞凌） | |
| 封装形式： | QFN-8 3.3*3.3/PG-TSDSON-8 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 5000/盘 |
产品型号:BSZ160N10NS3G
封装:QFN-8 3.3*3.3/PG-TSDSON-8
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):100
夹断电压VGS(V):±20
雪崩能量EAS(mJ):80
漏极电流Id(A):40
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.016 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):3.5
功率PD(W):63
极间电容Ciss(PF):1300
通道极性:N通道
低频跨导gFS(s)：33
温度(℃): -55 ~150
描述:100V,40A,OptiMOS Power-Transistor
Features
? Ideal for high frequency switching
? Optimized technology for DC/DC converters
? Excellent gate charge x RDS(on) product (FOM)
? N-channel, normal level
? 100% avalanche tested
? Pb-free plating; RoHS compliant
? Qualified according to JEDEC for target applications
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- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 BSC057N08NS3G,057N08NS,BSC057N08
信息内容：型 号：BSC057N08NS3G 标 记: 057N08NS 类 型：场效应管 通道极性: N通道 封 装：QFN-8 5*6/PG-TDSON-8 备 注：,现货供应 Parameter Symbol Conditions Value Unit Drain-source breakdown voltage V(BR)DSS VGS=0V,ID=1mA 80 V Continuous drain current ID VGS=10V,TC=25℃ 100 A Pulsed drain current IDM TC=25℃ 400 A Avalanche energy, single pulse EAS ID=50A, RGS=2...
供应 场效应管 BSZ0904NSI,0904NSI
信息内容：MOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具 功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板. 产品型号:BSZ0904NSI 封装:QFN-8 3.3*3.3/PG-TSDSON-8 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):40 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):4 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):2.2 功率PD(W):37 极间电容Ciss(PF):1100 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：82 温度(℃):-55 ~150 描述:30V,40A N-Channel OptiMOS? Power-MOSFET Features Optimized SyncFET for high performance buck converters 100% avalanche tested N-channel Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Ultra low gate (Qg) and output charge (Qoss) for given RDS(on) Qualified according to JEDEC1) for target applications Superior thermal resistance Pb-free plating; RoHS compliant Halogen-free according to IEC61249-2-21 Integrated monolitic Schottky-like diode Applications On board power for server ...
