供应 场效应管 BSC057N08NS3G,057N08NS,BSC057N08
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | BSC057N08NS3G,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,N场,80V,100A. | |
| 品牌/商标： | INFINEON（英飞凌） | |
| 封装形式： | QFN-8 5*6/PG-TDSON-8 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 5000/盘 |
| 型 号：BSC057N08NS3G | ||||
| 标 记: 057N08NS | ||||
| 类 型：场效应管 | ||||
| 通道极性: N通道 | ||||
| 封 装：QFN-8 5*6/PG-TDSON-8 | ||||
| 备 注：,现货供应 | ||||
| Parameter | Symbol | Conditions | Value | Unit |
| Drain-source breakdown voltage | V(BR)DSS | VGS=0V,ID=1mA | 80 | V |
| Continuous drain current | ID | VGS=10V,TC=25℃ | 100 | A |
| Pulsed drain current | IDM | TC=25℃ | 400 | A |
| Avalanche energy, single pulse | EAS | ID=50A, RGS=25Ω | 216 | mJ |
| Gate source voltage | VGS | ±20 | V | |
| Power dissipation | Ptot | TC=25℃ | 114 | W |
| Gate threshold voltage | VGS(th) | VDS=VGS,ID=73µA | 3.5 | V |
| Drain-source on-state resistance | RDS(on) | VGS=10V, ID=50A | 5.7 | mΩ |
| Input capacitance | Ciss | VGS=0V,VDS=50V, f=1MHz | 2900 | PF |
| Transconductance | gfs | |VDS|>2|ID|RDS(on)max,ID=50A | 80 | S |
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供应 场效应管 BSZ0904NSI,0904NSI
信息内容：MOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具 功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板. 产品型号:BSZ0904NSI 封装:QFN-8 3.3*3.3/PG-TSDSON-8 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):40 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):4 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):2.2 功率PD(W):37 极间电容Ciss(PF):1100 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：82 温度(℃):-55 ~150 描述:30V,40A N-Channel OptiMOS? Power-MOSFET Features Optimized SyncFET for high performance buck converters 100% avalanche tested N-channel Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Ultra low gate (Qg) and output charge (Qoss) for given RDS(on) Qualified according to JEDEC1) for target applications Superior thermal resistance Pb-free plating; RoHS compliant Halogen-free according to IEC61249-2-21 Integrated monolitic Schottky-like diode Applications On board power for server ...
供应 场效应管 IPG20N06S4L-14,4N06L14
信息内容：产品型号:IPG20N06S4L-14 封装:QFN-8 5*6/PG-TDSON-8 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):60 夹断电压VGS(V):±16 雪崩能量EAS(mJ):90 漏极电流Id(A):20 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0137 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):2.2 功率PD(W):50 极间电容Ciss(PF):2220 通道极性:双N 低频跨导gFS(s)： 温度(℃): -55 ~175 描述:60V,20A,双N, OptiMOS?-T2 Power-Transistor (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
