供应 场效应管 BSZ0904NSI,0904NSI
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | BSZ0904NSI,QFN-8 3.3*3.3/PG-TSDSON-8,SMD/MOS,N场,30V,40A | |
| 品牌/商标： | INFINEON（英飞凌） | |
| 封装形式： | QFN-8 3.3*3.3/PG-TSDSON-8 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 5000/盘 |
MOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具
功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板.
产品型号:BSZ0904NSI
封装:QFN-8 3.3*3.3/PG-TSDSON-8
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):40
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):4 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):2.2
功率PD(W):37
极间电容Ciss(PF):1100
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：82
温度(℃):-55 ~150
描述:30V,40A N-Channel OptiMOS? Power-MOSFET
Features
Optimized SyncFET for high performance buck converters
100% avalanche tested
N-channel
Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V
Ultra low gate (Qg) and output charge (Qoss) for given RDS(on)
Qualified according to JEDEC1) for target applications
Superior thermal resistance
Pb-free plating; RoHS compliant
Halogen-free according to IEC61249-2-21
Integrated monolitic Schottky-like diode
Applications
On board power for server
Power managment for high performance computing
Synchronous rectification
High power density point of load converters
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- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 IPG20N06S4L-14,4N06L14
信息内容：产品型号:IPG20N06S4L-14 封装:QFN-8 5*6/PG-TDSON-8 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):60 夹断电压VGS(V):±16 雪崩能量EAS(mJ):90 漏极电流Id(A):20 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0137 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):2.2 功率PD(W):50 极间电容Ciss(PF):2220 通道极性:双N 低频跨导gFS(s)： 温度(℃): -55 ~175 描述:60V,20A,双N, OptiMOS?-T2 Power-Transistor (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
供应 场效应管 IPG20N04S4L-07,4N04L07
信息内容：产品型号:IPG20N04S4L-07 封装:QFN-8 5*6/PG-TDSON-8 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):40 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):20 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):7.2 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):2.2 功率PD(W):65 极间电容Ciss(PF):3060 通道极性:双N 低频跨导gFS(s)： 温度(℃):-55 ~175 描述:40V,20A N-Channel OptiMOS?-T2 Power-Transistor Features Dual N-channel Logic Level - Enhancement mode AEC Q101 qualified MSL1 up to 260°C peak reflow 175°C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
