供应 场效应管 IPG20N04S4L-07,4N04L07
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | IPG20N04S4L-07,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,双N,40V,20A,0.0072Ω | |
| 品牌/商标： | INFINEON（英飞凌） | |
| 封装形式： | QFN-8 5*6/PG-TDSON-8 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 5000/盘 |
产品型号:IPG20N04S4L-07
封装:QFN-8 5*6/PG-TDSON-8
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):40
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):20
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):7.2 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):2.2
功率PD(W):65
极间电容Ciss(PF):3060
通道极性:双N
低频跨导gFS(s)：
温度(℃):-55 ~175
描述:40V,20A N-Channel OptiMOS?-T2 Power-Transistor
Features
Dual N-channel Logic Level - Enhancement mode
AEC Q101 qualified
MSL1 up to 260°C peak reflow
175°C operating temperature
Green Product (RoHS compliant)
100% Avalanche tested
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- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 BSC889N03LSG,889N03LS,BSC889N03
信息内容：BSC889N03LSG,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,N场,30V,45A,0.009Ω Parameter Symbol Conditions Value Unit Drain-source breakdown voltage V(BR)DSS VGS=0V,ID=1mA 30 V Continuous drain current ID VGS=10V,TC=25℃ 44 A Pulsed drain current ID,pulse TC=25℃ 176 A Power dissipation Ptot TC=25℃ 28 W Gate source voltage VGS ±20 V Gate th...
供应 场效应管 BSC050N03MSG,050N03MS,BSC050N03
信息内容：产品型号:BSC050N03MSG 封装:QFN-8 5*6/PG-TDSON-8 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30 夹断电压VGS(V):±20 雪崩能量EAS(mJ):35 漏极电流Id(A):80 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.005 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):2 功率PD(W):50 极间电容Ciss(PF):2700 TYP 通道极性:N通道 低频跨导gFS(s)：75 温度(℃): -55 ~150 描述:30V,80A, OptiMOS M-Series Power-MOSFET (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
