供应 场效应管 BSC050N03MSG,050N03MS,BSC050N03
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | BSC050N03MSG,PG-TSDSON-8,30V,80A,5.5mΩ | |
| 品牌/商标： | INFINEON（英飞凌） | |
| 封装形式： | QFN-8 5*6/PG-TDSON-8 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 5000/盘 |
产品型号:BSC050N03MSG
封装:QFN-8 5*6/PG-TDSON-8
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30
夹断电压VGS(V):±20
雪崩能量EAS(mJ):35
漏极电流Id(A):80
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.005 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):2
功率PD(W):50
极间电容Ciss(PF):2700 TYP
通道极性:N通道
低频跨导gFS(s)：75
温度(℃): -55 ~150
描述:30V,80A, OptiMOS M-Series Power-MOSFET
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- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 BSC020N03LSG,020N03LS,BSC020N03
信息内容：产品型号:BSC020N03LSG 封装:QFN-8 5*6/PG-TDSON-8 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30 夹断电压VGS(V):±20 雪崩能量EAS(mJ):180 漏极电流Id(A):100 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.002 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):2.2 功率PD(W):96 极间电容Ciss(PF):5400 TYP 通道极性:N通道 低频跨导gFS(s)：130 温度(℃): -55 ~150 描述:30V,100A, N-channel OptiMOS Power-MOSFET (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
供应 场效应管 BSC883N03MSG,883N03MS,BSC883N03
信息内容：BSC883N03MSG,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,N场,34V,98A,0.0038Ω Parameter Symbol Conditions Value Unit Drain-source breakdown voltage V(BR)DSS VGS=0V,ID=1mA 30 V Continuous drain current ID VGS=10V,TC=25℃ 98 A Pulsed drain current IDM TC=25℃ 392 A Power dissipation Ptot TC=25℃ 57 W Gate source voltage VGS ±20 V Gate threshold volt...
