供应 场效应管 BSC883N03MSG,883N03MS,BSC883N03
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | BSC883N03MSG,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,N场,34V,98A | |
| 品牌/商标： | INFINEON（英飞凌） | |
| 封装形式： | QFN-8 5*6/PG-TDSON-8 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 5000/盘 |
BSC883N03MSG,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,N场,34V,98A,0.0038Ω
| Parameter | Symbol | Conditions | Value | Unit |
| Drain-source breakdown voltage | V(BR)DSS | VGS=0V,ID=1mA | 30 | V |
| Continuous drain current | ID | VGS=10V,TC=25℃ | 98 | A |
| Pulsed drain current | IDM | TC=25℃ | 392 | A |
| Power dissipation | Ptot | TC=25℃ | 57 | W |
| Gate source voltage | VGS | ±20 | V | |
| Gate threshold voltage | VGS(th) | VDS=VGS,ID=250µA | 2 | V |
| Avalanche energy, single pulse | EAS | ID=50A, RGS=25Ω | 40 | mJ |
| Drain-source on-state resistance | RDS(on) | VGS=10V, ID=30A | 3.8 | mΩ |
| Input capacitance | Ciss | VGS=0V,VDS=15V, f=1MHz | 3200 | PF |
| Transconductance | gfs | |VDS|>2|ID|RDS(on)max,ID=30A | 86 | S |
(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\.)
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 方小姐/陈小姐/刘小姐/钟小姐
- 电话：0755-82814431/82814432
- 传真：0755-83957820
- 手机：15914096884
- QQ ：
供应 场效应管 BSC046N02KSG,046N02KS,BSC046N02
信息内容：型 号：BSC046N02KSG 标 记: 046N02KS 类 型：场效应管 通道极性: N通道 封 装：QFN-8 5*6/PG-TDSON-8 备 注： Parameter Symbol Conditions Value Unit Drain-source breakdown voltage V(BR)DSS VGS=0V,ID=1mA 20 V Continuous drain current ID VGS=10V,TC=25℃ 80 A Pulsed drain current IDM TC=25℃ 200 A Avalanche energy, single pulse EAS ID=50A, RGS=25Ω 151 mJ Gate source voltage VGS ...
供应 场效应管 BSZ100N06LS3G,100N06L
信息内容：BSZ100N06LS3G,QFN-8 3.3*3.3/PG-TSDSON-8,SMD/MOS,N场,60V ,20A,0.01Ω Parameter Symbol Conditions Value Unit Drain-source breakdown voltage V(BR)DSS VGS=0V,ID=1mA 60 V Continuous drain current ID VGS=10V,TC=25℃ 20 A Pulsed drain current IDM TC=25℃ 80 A Gate source voltage VGS ±20 V Avalanche energy, single pulse EAS ID=20A, RGS=25Ω 55 mJ ...
