供应 IR牌子 场效应管IRF1404S 原装
| 价 格： | 面议 | |
| 材料： | GE-N-FET锗N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 型号/规格： | IRF1404S | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 品牌/商标： | IR/国际整流器 | |
| 用途： | A/宽频带放大 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 在电阻RDS（上）： | 4mohm | |
| 功耗： | 200W | |
| 工作温度： | -55°C 到 +175°C |
- 场效应???MOSFET N D2-PAK 40V 162A
- 晶体管极性: N沟道
- 电流, Id连续: 162A
- 电压, Vds: 40V
- 在电阻RDS（上）: 4mohm
- 电压@ Rds测量: 10V
- 阈值电压, Vgs th典型值: 4V
- 功耗, Pd: 200W
- 工作温度敏: -55°C
- 工作温度: 175°C
- 封装类型: TO-263
- 针脚数: 3
- SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
- 功率, Pd: 200W
- 功耗: 200W
- 封装类型: D2-PAK
- 封装类型,其它: D2-PAK
- 工作温度范围: -55°C到 175°C
- 漏极电流, Id值: 162A
- 热阻,结点至外壳A: 0.75°C/W
- 电压Vgs @ Rds on测量: 10V
- 电压, Vds: 40V
- 电压, Vds典型值: 40V
- 电压, Vgs: 4V
- 电流, Idm脉冲: 650A
- 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V: 4mohm
- 阈值电压, Vgs th: 4V
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深圳市福田区新亚洲电子市场二期信科盛电子经营部
公司信息未核实
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- 联系人： 马加鹏
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