供应 AOS牌子 场效应管AO3414 原装
| 价 格： | 面议 | |
| 漏源极电压： | 20V | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 功率值： | 1.4W | |
| 型号/规格： | AO3414 | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 电流 - 连续漏极： | 3A | |
| 品牌/商标： | AOS/美国万代 | |
| 用途： | V-FET/V型槽MOS | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 |
数据列表 | AO3414 |
产品相片 | SOT-23 |
标准包装 | 3,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET -单 |
系列 | - |
FET类型 | MOSFET N通道，金属氧化物 |
FET功能 | 逻辑电平门，1.8V Drive |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
电流-连续漏极(Id)（25° C时） | 3A |
不同 Id、Vgs时的 Rds On（值） | 50毫欧@ 4.2A，4.5V |
不同Id时的Vgs(th)（值） | 1V @ 250µA |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6.2nC @ 4.5V |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 436pF @ 10V |
功率-值 | 1.4W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
供应商器件封装 | SOT-23-3 |
包装 | 带卷(TR) |
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 马加鹏
- 电话：
- 传真：
- 手机：
- QQ ：
供应 AOS牌子 场效应管AO4403 原装
信息内容：数据列表AO4403产品相片8-SOIC标准包装3,000类别分立半导体产品家庭FET -单系列-FET类型MOSFET P通道，金属氧化物FET功能逻辑电平门，2.5V Drive漏源极电压(Vdss)30V电流-连续漏极(Id)（25° C时）6.1A不同 Id、Vgs时的 Rds On（值）46毫欧@ 6.1A，10V不同Id时的Vgs(th)（值）1.3V @ 250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)11.3nC @ 4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)1128pF @ 15V功率-值3W安装类型表面贴装封装/外壳8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）供应商器件封装8-SOIC包装带卷(TR)
供应 AOS牌子 场效应管A03400A 原装
信息内容：数据列表AO3400A产品相片SOT-23标准包装3,000类别分立半导体产品家庭FET -单系列-FET类型MOSFET N通道，金属氧化物FET功能逻辑电平门，2.5V Drive漏源极电压(Vdss)30V电流-连续漏极(Id)（25° C时）5.7A不同 Id、Vgs时的 Rds On（值）26.5毫欧@ 5.7A，10V不同Id时的Vgs(th)（值）1.5V @ 250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)13nC @ 4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)1100pF @ 15V功率-值1.4W安装类型表面贴装封装/外壳TO-236-3，SC-59，SOT-23-3供应商器件封装SOT-23-3包装带卷(TR)
