供应 AOS牌子 场效应管A03400A 原装
| 价 格： | 面议 | |
| 材料： | GE-N-FET锗N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 型号/规格： | A03400A | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 品牌/商标： | AOS/美国万代 | |
| 用途： | A/宽频带放大 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 电流 - 连续漏极： | 5.7V | |
| 漏源极电压： | 30V | |
| 功率： | 1.4W |
数据列表 | AO3400A |
产品相片 | SOT-23 |
标准包装 | 3,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET -单 |
系列 | - |
FET类型 | MOSFET N通道，金属氧化物 |
FET功能 | 逻辑电平门，2.5V Drive |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)（25° C时） | 5.7A |
不同 Id、Vgs时的 Rds On（值） | 26.5毫欧@ 5.7A，10V |
不同Id时的Vgs(th)（值） | 1.5V @ 250µA |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 13nC @ 4.5V |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1100pF @ 15V |
功率-值 | 1.4W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
供应商器件封装 | SOT-23-3 |
包装 | 带卷(TR) |
- 所属城市：广东 深圳
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供应 AOS牌子 场效应管AO3418 原装
信息内容：数据列表AO3418产品相片SOT-23标准包装3,000类别分立半导体产品家庭FET -单系列-FET类型MOSFET N通道，金属氧化物FET功能逻辑电平门，2.5V Drive漏源极电压(Vdss)30V电流-连续漏极(Id)（25° C时）3.8A不同 Id、Vgs时的 Rds On（值）60毫欧@ 3.8A，10V不同Id时的Vgs(th)（值）1.8V @ 250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)3.2nC @ 4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)270pF @ 15V功率-值1.4W安装类型表面贴装封装/外壳TO-236-3，SC-59，SOT-23-3供应商器件封装SOT-23-3包装带卷(TR)"
供应 AOS牌子 场效应管AO3406 原装
信息内容：数据列表AO3406产品相片SOT-23标准包装3,000类别分立半导体产品家庭FET -单系列-FET类型MOSFET N通道，金属氧化物FET功能逻辑电平门漏源极电压(Vdss)30V电流-连续漏极(Id)（25° C时）3.6A不同 Id、Vgs时的 Rds On（值）50毫欧@ 3.6A，10V不同Id时的Vgs(th)（值）2.5V @ 250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)5nC @ 10V不同Vds时的输入电容(Ciss)210pF @ 15V功率-值1.4W安装类型表面贴装封装/外壳TO-236-3，SC-59，SOT-23-3供应商器件封装SOT-23-3 "
