供应 AOS牌子 场效应管AO3406 原装
| 价 格： | 面议 | |
| 功率： | 1.4W | |
| 漏源极电压： | 30V | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 型号/规格： | AO3406 | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 电流 - 连续漏极： | 3.6A | |
| 品牌/商标： | AOS/美国万代 | |
| 用途： | V-FET/V型槽MOS | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 |
数据列表 | AO3406 |
产品相片 | SOT-23 |
标准包装 | 3,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET -单 |
系列 | - |
FET类型 | MOSFET N通道，金属氧化物 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)（25° C时） | 3.6A |
不同 Id、Vgs时的 Rds On（值） | 50毫欧@ 3.6A，10V |
不同Id时的Vgs(th)（值） | 2.5V @ 250µA |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 5nC @ 10V |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 210pF @ 15V |
功率-值 | 1.4W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
供应商器件封装 | SOT-23-3 |
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- 所属城市：广东 深圳
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供应 ST牌子 场效应管STP10NK60Z 原装
信息内容：场效应管MOSFET N TO-220 晶体管极性: N沟道 电流, Id连续: 10A 电压, Vds: 600V 在电阻RDS（上）: 750mohm 电压@ Rds测量: 10V 阈值电压, Vgs th典型值: 3.75V 功耗, Pd: 115W 工作温度敏: -55°C 工作温度: 150°C 封装类型: TO-220 针脚数: 3 SVHC(高度关注物质): No SVHC (18-Jun-2012) 功率, Pd: 115W 功耗: 115W 单脉冲雪崩能量Eas: 300mJ 器件标记: STP10NK60Z 封装类型: TO-220 封装类型,其它: SOT-78B 工作温度范围: -55°C到 150°C 引脚节距: 2.54mm 总功率, Ptot: 115W 时间, trr典型值: 570ns 晶体管数: 1 温度@电流测量: 25°C 满功率温度: 25°C 漏极电流, Id值: 10A 电压Vgs @ Rds on测量: 10V 电压, Vds典型值: 600V 电压, Vgs: 30V 电容值, Ciss典型值: 1370pF 电流, Idm脉冲: 36A 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V: 750mohm 针脚配置: a 阈值电压, Vgs th: 3V 阈值电压, Vgs th: 4.5V
供应 AOS牌子 场效应管AO3424 原装
信息内容：数据列表AO3424产品相片SOT-23标准包装3,000类别分立半导体产品家庭FET -单系列-FET类型MOSFET N通道，金属氧化物FET功能逻辑电平门，2.5V Drive漏源极电压(Vdss)30V电流-连续漏极(Id)（25° C时）3.8A不同 Id、Vgs时的 Rds On（值）80毫欧@ 2A，10V不同Id时的Vgs(th)（值）1.8V @ 250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)3.2nC @ 4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)270pF @ 15V功率-值1.4W安装类型表面贴装封装/外壳TO-236-3，SC-59，SOT-23-3供应商器件封装SOT-23-3包装带卷(TR)
