供应 ST牌子 场效应管STP10NK60Z 原装
| 价 格： | 面议 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 型号/规格： | STP10NK60Z | |
| 封装外形： | P-DIT/塑料双列直插 | |
| 品牌/商标： | ST/意法 | |
| 用途： | SW-REG/开关电源 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 功耗： | 115W | |
| 单脉冲雪崩能量： | 300mJ | |
| 工作温度： | -55°C 到 +150°C |
- 场效应管MOSFET N TO-220
- 晶体管极性: N沟道
- 电流, Id连续: 10A
- 电压, Vds: 600V
- 在电阻RDS（上）: 750mohm
- 电压@ Rds测量: 10V
- 阈值电压, Vgs th典型值: 3.75V
- 功耗, Pd: 115W
- 工作温度敏: -55°C
- 工作温度: 150°C
- 封装类型: TO-220
- 针脚数: 3
- SVHC(高度关注物质): No SVHC (18-Jun-2012)
- 功率, Pd: 115W
- 功耗: 115W
- 单脉冲雪崩能量Eas: 300mJ
- 器件标记: STP10NK60Z
- 封装类型: TO-220
- 封装类型,其它: SOT-78B
- 工作温度范围: -55°C到 150°C
- 引脚节距: 2.54mm
- 总功率, Ptot: 115W
- 时间, trr典型值: 570ns
- 晶体管数: 1
- 温度@电流测量: 25°C
- 满功率温度: 25°C
- 漏极电流, Id值: 10A
- 电压Vgs @ Rds on测量: 10V
- 电压, Vds典型值: 600V
- 电压, Vgs: 30V
- 电容值, Ciss典型值: 1370pF
- 电流, Idm脉冲: 36A
- 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V: 750mohm
- 针脚配置: a
- 阈值电压, Vgs th: 3V
- 阈值电压, Vgs th: 4.5V
深圳市福田区新亚洲电子市场二期信科盛电子经营部
公司信息未核实
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 马加鹏
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