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供应 AOS牌子 场效应管AO3416 原装

价 格: 面议
漏源极电压:20V
功率 - 值:1.4W
材料:N-FET硅N沟道
种类:绝缘栅(MOSFET)
型号/规格:AO3416
封装外形:SMD(SO)/表面封装
电流 - 连续漏极:6.5A
品牌/商标:AOS/美国万代
用途:TR/激励、驱动
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型

数据列表

AO3416

产品相片

SOT-23

标准包装

3,000

类别

分立半导体产品

家庭

FET -

系列

-

FET类型

MOSFET N通道,金属氧化物

FET功能

逻辑电平门,1.8V Drive

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)25° C时)

6.5A

不同 IdVgs时的 Rds On(值)

22毫欧@ 6.5A4.5V

不同Id时的Vgs(th)(值)

1V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

16nC @ 4.5V

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1160pF @ 10V

功率-

1.4W

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-236-3SC-59SOT-23-3

供应商器件封装

SOT-23-3

包装

带卷(TR)

深圳市福田区新亚洲电子市场二期信科盛电子经营部
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 马加鹏
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供应:IR场效应管:IRF2807ZSPBF 原装 现货库存

信息内容:

IRF2807ZSPBFIRF2807ZSPBF -场效应管MOSFET N D2-PAK管装50只晶体管极性:ñ频道 电流, Id连续: 89A 电压, Vds: 75V 在电阻RDS(上): 9.4mohm 阈值电压, Vgs th典型值: 4V 功耗, Pd: 170W 封装类型: D2-PAK SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2011) 功率, Pd: 170W 功耗: 170W 封装类型: D2-PAK 封装类型,替代: D2-PAK 热阻,结至外壳A: 0.9°C/W 电压Vgs @ Rds on测量: 10V 电压, Vds: 75V 电压, Vds典型值: 75V 电流, Idm脉冲: 350A 表面安装器件: 表面安装 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V: 9.4mohm 阈值电压, Vgs th: 4V

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