供应 IR牌子 场效应管IRF630NS 原装
| 价 格： | 面议 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 型号/规格： | IRF630NS | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 品牌/商标： | IR/国际整流器 | |
| 用途： | MOS-FBM/全桥组件 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 在电阻RDS（上）： | 300mohm | |
| 功耗： | 82W | |
| 工作温度： | -55°C 到 +175°C |
- 场效??管MOSFET N D2-PAK 200V 9.5A
- 晶体管极性: N沟道
- 电流, Id连续: 9.3A
- 电压, Vds: 200V
- 在电阻RDS（上）: 300mohm
- 电压@ Rds测量: 10V
- 阈值电压, Vgs th典型值: 4V
- 功耗, Pd: 82W
- 工作温度敏: -55°C
- 工作温度: 175°C
- 封装类型: TO-263
- 针脚数: 3
- SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
- SMD标号: IRF630NS
- 上升时间: 14ns
- 下降时间: 15ns
- 功率, Pd: 82W
- 功耗: 82W
- 功耗(于1平方英寸PCB): 3.8W
- 单脉冲雪崩能量Eas: 94mJ
- 外宽: 10.16mm
- 外部深度: 15.49mm
- 外部长度/高度: 4.69mm
- 封装类型: D2-PAK
- 封装类型,其它: D2-PAK
- 工作温度范围: -55°C到 175°C
- 时间, trr典型值: 117ns
- 晶体管数: 1
- 重复雪崩能量Ear: 8.2mJ
- 栅极电荷Qg N沟道: 35nC
- 温度@电流测量: 25°C
- 满功率温度: 25°C
- 漏极电流, Id值: 9.3A
- 热阻,结点至外壳A: 1.83°C/W
- 电压Vgs @ Rds on测量: 10V
- 电压, Vds: 200V
- 电压, Vds典型值: 200V
- 电压, Vgs Rds N沟道: 10V
- 电压, Vgs: 4V
- 电容值, Ciss典型值: 575pF
- 电流, Idm脉冲: 37A
- 电流, Idss: 25µA
- 结温, Tj值: 175°C
- 结温, Tj最小值: -55°C
- 表面安装器件: SMD
- 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V: 300mohm
- 重复雪崩电流, Iar: 9.3A
- 阈值电压, Vgs th: 2V
- 阈值电压, Vgs th: 4V
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 马加鹏
- 电话：
- 传真：
- 手机：
- QQ ：
供应 IR牌子 场效应管IRF3205S 原装
信息内容：场效应???MOSFET N D2-PAK 55V 110A 晶体管极性: N沟道 电流, Id连续: 98A 电压, Vds: 55V 在电阻RDS（上） 8mohm: 电压@ Rds测量: 10V 阈值电压, Vgs th典型值: 4V 功耗, Pd: 150W 工作温度敏: -55°C 工作温度: 175??C 封装类型: TO-263 针脚数: 3 SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012) SMD标号: IRF3205S 功率, Pd: 150W 功耗: 150W 功耗(于1平方英寸PCB): 3.7W 外宽: 10.54mm 外部深度: 15.49mm 外部长度/高度: 4.69mm 封装类型: D2-PAK 封装类型,其它: D2-PAK 工作温度范围: -55°C到 175°C 晶体管数: 1 温度@电流测量: 25°C 满功率温度: 25°C 漏极电流, Id值: 110A 热阻,结点至外壳A: 0.75°C/W 电压Vgs @ Rds on测量: 10V 电压, Vds典型值: 55V 电压, Vgs: 4V 电流, Idm脉冲: 390A 表面安装器件: SMD 阈值电压, Vgs th: 4V "
供应 IR牌子 场效应管IRF1404S 原装
信息内容：场效应???MOSFET N D2-PAK 40V 162A 晶体管极性: N沟道 电流, Id连续: 162A 电压, Vds: 40V 在电阻RDS（上）: 4mohm 电压@ Rds测量: 10V 阈值电压, Vgs th典型值: 4V 功耗, Pd: 200W 工作温度敏: -55°C 工作温度: 175°C 封装类型: TO-263 针脚数: 3 SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012) 功率, Pd: 200W 功耗: 200W 封装类型: D2-PAK 封装类型,其它: D2-PAK 工作温度范围: -55°C到 175°C 漏极电流, Id值: 162A 热阻,结点至外壳A: 0.75°C/W 电压Vgs @ Rds on测量: 10V 电压, Vds: 40V 电压, Vds典型值: 40V 电压, Vgs: 4V 电流, Idm脉冲: 650A 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V: 4mohm 阈值电压, Vgs th: 4V "
