供应 IR牌子 场效应管IRF3205S 原装
| 价 格： | 面议 | |
| 材料： | GE-N-FET锗N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 型号/规格： | IRF3205S | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 品牌/商标： | IR/国际整流器 | |
| 用途： | L/功率放大 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 在电阻RDS（上）： | 8mohm | |
| 功耗： | 150W | |
| 工作温度： | -55°C 到 +175°C |
- 场效应???MOSFET N D2-PAK 55V 110A
- 晶体管极性: N沟道
- 电流, Id连续: 98A
- 电压, Vds: 55V
- 在电阻RDS（上） 8mohm
- : 电压@ Rds测量: 10V
- 阈值电压, Vgs th典型值: 4V
- 功耗, Pd: 150W
- 工作温度敏: -55°C
- 工作温度: 175??C
- 封装类型: TO-263
- 针脚数: 3
- SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
- SMD标号: IRF3205S
- 功率, Pd: 150W
- 功耗: 150W
- 功耗(于1平方英寸PCB): 3.7W
- 外宽: 10.54mm
- 外部深度: 15.49mm
- 外部长度/高度: 4.69mm
- 封装类型: D2-PAK
- 封装类型,其它: D2-PAK
- 工作温度范围: -55°C到 175°C
- 晶体管数: 1
- 温度@电流测量: 25°C
- 满功率温度: 25°C
- 漏极电流, Id值: 110A
- 热阻,结点至外壳A: 0.75°C/W
- 电压Vgs @ Rds on测量: 10V
- 电压, Vds典型值: 55V
- 电压, Vgs: 4V
- 电流, Idm脉冲: 390A
- 表面安装器件: SMD
- 阈值电压, Vgs th: 4V
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- 所属城市：广东 深圳
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供应 IR牌子 场效应管IRF1404S 原装
信息内容：场效应???MOSFET N D2-PAK 40V 162A 晶体管极性: N沟道 电流, Id连续: 162A 电压, Vds: 40V 在电阻RDS（上）: 4mohm 电压@ Rds测量: 10V 阈值电压, Vgs th典型值: 4V 功耗, Pd: 200W 工作温度敏: -55°C 工作温度: 175°C 封装类型: TO-263 针脚数: 3 SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012) 功率, Pd: 200W 功耗: 200W 封装类型: D2-PAK 封装类型,其它: D2-PAK 工作温度范围: -55°C到 175°C 漏极电流, Id值: 162A 热阻,结点至外壳A: 0.75°C/W 电压Vgs @ Rds on测量: 10V 电压, Vds: 40V 电压, Vds典型值: 40V 电压, Vgs: 4V 电流, Idm脉冲: 650A 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V: 4mohm 阈值电压, Vgs th: 4V "
供应 AOS牌子 场效应管AO3414 原装
信息内容：数据列表AO3414产品相片SOT-23标准包装3,000类别分立半导体产品家庭FET -单系列-FET类型MOSFET N通道，金属氧化物FET功能逻辑电平门，1.8V Drive漏源极电压(Vdss)20V电流-连续漏极(Id)（25° C时）3A不同 Id、Vgs时的 Rds On（值）50毫欧@ 4.2A，4.5V不同Id时的Vgs(th)（值）1V @ 250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)6.2nC @ 4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)436pF @ 10V功率-值1.4W安装类型表面贴装封装/外壳TO-236-3，SC-59，SOT-23-3供应商器件封装SOT-23-3包装带卷(TR)
