供应 场效应管 BSC046N02KSG,046N02KS,BSC046N02
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | BSC046N02KSG,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,N场,20V,80A,0.0046Ω. | |
| 品牌/商标： | INFINEON（英飞凌） | |
| 封装形式： | QFN-8 5*6/PG-TDSON-8 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 5000/盘 |
| 型 号：BSC046N02KSG | ||||
| 标 记: 046N02KS | ||||
| 类 型：场效应管 | ||||
| 通道极性: N通道 | ||||
| 封 装：QFN-8 5*6/PG-TDSON-8 | ||||
| 备 注： | ||||
| Parameter | Symbol | Conditions | Value | Unit |
| Drain-source breakdown voltage | V(BR)DSS | VGS=0V,ID=1mA | 20 | V |
| Continuous drain current | ID | VGS=10V,TC=25℃ | 80 | A |
| Pulsed drain current | IDM | TC=25℃ | 200 | A |
| Avalanche energy, single pulse | EAS | ID=50A, RGS=25Ω | 151 | mJ |
| Gate source voltage | VGS | ±12 | V | |
| Power dissipation | Ptot | TC=25℃ | 48 | W |
| Gate threshold voltage | VGS(th) | VDS=VGS,ID=110µA | 1.2 | V |
| Drain-source on-state resistance | RDS(on) | VGS=4.5V, ID=50A | 4.6 | mΩ |
| Input capacitance | Ciss | VGS=0V,VDS=37.5V, f=1MHz | 3100 | PF |
| Transconductance | gfs | |VDS|>2|ID|RDS(on)max,ID=50A | 140 | S |
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供应 场效应管 BSZ100N06LS3G,100N06L
信息内容：BSZ100N06LS3G,QFN-8 3.3*3.3/PG-TSDSON-8,SMD/MOS,N场,60V ,20A,0.01Ω Parameter Symbol Conditions Value Unit Drain-source breakdown voltage V(BR)DSS VGS=0V,ID=1mA 60 V Continuous drain current ID VGS=10V,TC=25℃ 20 A Pulsed drain current IDM TC=25℃ 80 A Gate source voltage VGS ±20 V Avalanche energy, single pulse EAS ID=20A, RGS=25Ω 55 mJ ...
供应 场效应管 BSC079N10NSG,079N10NS,BSC079N10
信息内容：型 号：BSC079N10NSG 标 记: 079N10NS 类 型：场效应管 通道极性: N通道 封 装：QFN-8 5*6/PG-TDSON-8 备 注： Parameter Symbol Conditions Value Unit Drain-source breakdown voltage V(BR)DSS VGS=0V,ID=1mA 100 V Continuous drain current ID VGS=10V,TC=25℃ 100 A Pulsed drain current IDM TC=25℃ 400 A Avalanche energy, single pulse EAS ID=50A, RGS=25Ω ...
