供应 场效应管 BSC079N10NSG,079N10NS,BSC079N10
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | BSC079N10NSG,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,N场,100V,100A | |
| 品牌/商标： | INFINEON（英飞凌） | |
| 封装形式： | QFN-8 5*6/PG-TDSON-8 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 5000/盘 |
| 型 号：BSC079N10NSG | ||||
| 标 记: 079N10NS | ||||
| 类 型：场效应管 | ||||
| 通道极性: N通道 | ||||
| 封 装：QFN-8 5*6/PG-TDSON-8 | ||||
| 备 注： | ||||
| Parameter | Symbol | Conditions | Value | Unit |
| Drain-source breakdown voltage | V(BR)DSS | VGS=0V,ID=1mA | 100 | V |
| Continuous drain current | ID | VGS=10V,TC=25℃ | 100 | A |
| Pulsed drain current | IDM | TC=25℃ | 400 | A |
| Avalanche energy, single pulse | EAS | ID=50A, RGS=25Ω | 377 | mJ |
| Gate source voltage | VGS | ±20 | V | |
| Power dissipation | Ptot | TC=25℃ | 156 | W |
| Gate threshold voltage | VGS(th) | VDS=VGS,ID=110µA | 4 | V |
| Drain-source on-state resistance | RDS(on) | VGS=10V, ID=50A | 7.9 | mΩ |
| Input capacitance | Ciss | VGS=0V,VDS=50V, f=1MHz | 4400 | PF |
| Transconductance | gfs | |VDS|>2|ID|RDS(on)max,ID=50A | 80 | S |
(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\.)
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 方小姐/陈小姐/刘小姐/钟小姐
- 电话：0755-82814431/82814432
- 传真：0755-83957820
- 手机：15914096884
- QQ ：
供应 场效应管 BSZ130N03MSG,130N03M,BSZ130N03
信息内容：产品型号:BSZ130N03MS 封装:QFN-8 3.3*3.3/PG-TSDSON-8 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30 夹断电压VGS(V):±20 雪崩能量EAS(mJ):9 漏极电流Id(A):35 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0115 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):2 功率PD(W):25 极间电容Ciss(PF):970 通道极性:N通道 低频跨导gFS(s)：45 温度(℃): -55 ~150 描述:30V,35A,OptiMOS?3 M-Series Power-MOSFET (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
供应 场效应管 BSZ130N03LSG 130N03L BSZ130N03
信息内容：产品型号:BSZ130N03LSG 封装:QFN-8 3.3*3.3/PG-TSDSON-8 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30 夹断电压VGS(V):±20 雪崩能量EAS(mJ):9 漏极电流Id(A):35 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.013 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):2.2 功率PD(W):25 极间电容Ciss(PF):970 通道极性:N通道 低频跨导gFS(s)：45 温度(℃): -55 ~150 描述:30V,35A,OptiMOS?3 Power-MOSFET (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
