供应 场效应管 BSZ130N03LSG 130N03L BSZ130N03
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | BSZ130N03LSG | |
| 品牌/商标： | INFINEON（英飞凌） | |
| 封装形式： | QFN-8 3.3*3.3/PG-TSDSON-8 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 5000/盘 |
产品型号:BSZ130N03LSG
封装:QFN-8 3.3*3.3/PG-TSDSON-8
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30
夹断电压VGS(V):±20
雪崩能量EAS(mJ):9
漏极电流Id(A):35
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.013 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):2.2
功率PD(W):25
极间电容Ciss(PF):970
通道极性:N通道
低频跨导gFS(s)：45
温度(℃): -55 ~150
描述:30V,35A,OptiMOS?3 Power-MOSFET
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- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 BSZ050N03LSG,050N03L,BSZ050N03
信息内容：BSZ050N03LSG,QFN-8 3.3*3.3/PG-TSDSON-8,SMD/MOS,N场,30V,40A,0.005Ω Parameter Symbol Conditions Value Unit Drain-source breakdown voltage V(BR)DSS VGS=0V,ID=1mA 30 V Continuous drain current ID VGS=10V,TC=25℃ 40 A Pulsed drain current IDM TC=25℃ 160 A Power dissipation Ptot TC=25℃ 50 W Gate source voltage VGS ±20 V Gate th...
供应 场效应管 BSZ035N03LSG,035N03L
信息内容：BSZ035N03LSG,QFN-8 3.3*3.3/PG-TSDSON-8,SMD/MOS,N场,30V,40A,0.0035Ω Parameter Symbol Conditions Value Unit Drain-source breakdown voltage V(BR)DSS VGS=0V,ID=1mA 30 V Continuous drain current ID VGS=10V,TC=25℃ 40 A Pulsed drain current IDM TC=25℃ 160 A Avalanche energy, single pulse EAS ID=20A, RGS=25Ω 150 mJ Gate source voltage VGS ±20 V ...
