供应 场效应管 BSZ050N03LSG,050N03L,BSZ050N03
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | BSZ050N03LSG,QFN-8 3.3*3.3/PG-TSDSON-8,SMD/MOS,N场,30V,40A,0.005Ω | |
| 品牌/商标： | INFINEON（英飞凌） | |
| 封装形式： | QFN-8 3.3*3.3/PG-TSDSON-8 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 5000/盘 |
BSZ050N03LSG,QFN-8 3.3*3.3/PG-TSDSON-8,SMD/MOS,N场,30V,40A,0.005Ω
| Parameter | Symbol | Conditions | Value | Unit |
| Drain-source breakdown voltage | V(BR)DSS | VGS=0V,ID=1mA | 30 | V |
| Continuous drain current | ID | VGS=10V,TC=25℃ | 40 | A |
| Pulsed drain current | IDM | TC=25℃ | 160 | A |
| Power dissipation | Ptot | TC=25℃ | 50 | W |
| Gate source voltage | VGS | ±20 | V | |
| Gate threshold voltage | VGS(th) | VDS=VGS,ID=250µA | 2.2 | V |
| Avalanche energy, single pulse | EAS | ID=20A, RGS=25Ω | 70 | mJ |
| Drain-source on-state resistance | RDS(on) | VGS=10V, ID=20A | 5 | mΩ |
| Input capacitance | Ciss | VGS=0V,VDS=15V, f=1MHz | 2800 | PF |
| Transconductance | gfs | |VDS|>2|ID|RDS(on)max,ID=30A | 76 | S |
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供应 场效应管 BSZ035N03LSG,035N03L
信息内容：BSZ035N03LSG,QFN-8 3.3*3.3/PG-TSDSON-8,SMD/MOS,N场,30V,40A,0.0035Ω Parameter Symbol Conditions Value Unit Drain-source breakdown voltage V(BR)DSS VGS=0V,ID=1mA 30 V Continuous drain current ID VGS=10V,TC=25℃ 40 A Pulsed drain current IDM TC=25℃ 160 A Avalanche energy, single pulse EAS ID=20A, RGS=25Ω 150 mJ Gate source voltage VGS ±20 V ...
供应 场效应管 BSZ440N10NS3G,440N10N
信息内容：产品型号:BSZ440N10NS3G 封装:QFN-8 3.3*3.3/PG-TSDSON-8 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):100 夹断电压VGS(V):±20 雪崩能量EAS(mJ):17 漏极电流Id(A):18 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.044 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):3.5 功率PD(W):29 极间电容Ciss(PF):480 通道极性:N通道 低频跨导gFS(s)：15 温度(℃): -55 ~150 描述:100V,18A,OptiMOS Power-Transistor Features ? Ideal for high frequency switching ? Optimized technology for DC/DC converters ? Excellent gate charge x RDS(on) product (FOM) ? N-channel, normal level ? 100% avalanche tested ? Pb-free plating; RoHS compliant ? Qualified according to JEDEC for target applications (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
