供应 场效应管 IPG20N06S4L-14,4N06L14
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | IPG20N06S4L-14,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,双N,60V ,20A,0.0137Ω | |
| 品牌/商标： | INFINEON（英飞凌） | |
| 封装形式： | QFN-8 5*6/PG-TDSON-8 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 5000/盘 |
产品型号:IPG20N06S4L-14
封装:QFN-8 5*6/PG-TDSON-8
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):60
夹断电压VGS(V):±16
雪崩能量EAS(mJ):90
漏极电流Id(A):20
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0137 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):2.2
功率PD(W):50
极间电容Ciss(PF):2220
通道极性:双N
低频跨导gFS(s)：
温度(℃): -55 ~175
描述:60V,20A,双N, OptiMOS?-T2 Power-Transistor
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- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 IPG20N04S4L-07,4N04L07
信息内容：产品型号:IPG20N04S4L-07 封装:QFN-8 5*6/PG-TDSON-8 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):40 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):20 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):7.2 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):2.2 功率PD(W):65 极间电容Ciss(PF):3060 通道极性:双N 低频跨导gFS(s)： 温度(℃):-55 ~175 描述:40V,20A N-Channel OptiMOS?-T2 Power-Transistor Features Dual N-channel Logic Level - Enhancement mode AEC Q101 qualified MSL1 up to 260°C peak reflow 175°C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
供应 场效应管 BSC889N03LSG,889N03LS,BSC889N03
信息内容：BSC889N03LSG,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,N场,30V,45A,0.009Ω Parameter Symbol Conditions Value Unit Drain-source breakdown voltage V(BR)DSS VGS=0V,ID=1mA 30 V Continuous drain current ID VGS=10V,TC=25℃ 44 A Pulsed drain current ID,pulse TC=25℃ 176 A Power dissipation Ptot TC=25℃ 28 W Gate source voltage VGS ±20 V Gate th...
