供应 场效应管 IPG20N06S2L-35,2N06L35
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | IPG20N06S2L-35,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8-4,SMD/MOS,双N,55V,20A,0.035Ω | |
| 品牌/商标： | INFINEON（英飞凌） | |
| 封装形式： | QFN-8 5*6/PG-TDSON-8 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 5000/盘 |
产品型号:IPG20N06S2L-35
标记：2N06L35
封装:QFN-8 5*6(PG-TDSON-8-4)
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):55
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):20
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):35 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):2
功率PD(W):65
极间电容Ciss(PF):610
通道极性:双N
低频跨导gFS(s)：
温度(℃):-55 ~175
描述:55V,20A Dual N-Channel OptiMOS?-T2 Power-Transistor
Features
? Dual N-channel Logic Level - Enhancement mode
? AEC Q101 qualified
? MSL1 up to 260°C peak reflow
? 175°C operating temperature
? Green Product (RoHS compliant)
? 100% Avalanche tested
- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 BSC026N02KSG 026N02KS BSC026N02
信息内容：产品型号:BSC026N02KSG 封装:QFN-8 5*6/PG-TDSON-8 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):20 夹断电压VGS(V):±12 雪崩能量EAS(mJ):550 漏极电流Id(A):100 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0026 @VGS = 4.5V 开启电压VGS(TH)(V):1.2 功率PD(W):78 极间电容Ciss(PF):5900 typ. 通道极性:N通道 低频跨导gFS(s)：190 温度(℃): -55 ~150 描述:20V,100A,OptiMOS Power-Transistor
供应 场效应管 BSC057N03LSG,057N03LS,BSC057N03
信息内容：产品型号:BSC057N03LSG 封装:QFN-8 5*6/PG-TDSON-8 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):71 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0057 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):2.2 功率PD(W):45 极间电容Ciss(PF):1800 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：71 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):25 温度(℃): -55 ~150 描述:30V,71A,
