供应 场效应管 BSC057N03LSG,057N03LS,BSC057N03
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | BSC057N03LSG,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,N场,30V,71A | |
| 品牌/商标： | INFINEON（英飞凌） | |
| 封装形式： | QFN-8 5*6/PG-TDSON-8 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 5000/盘 |
产品型号:BSC057N03LSG
封装:QFN-8 5*6/PG-TDSON-8
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):71
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0057 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):2.2
功率PD(W):45
极间电容Ciss(PF):1800
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：71
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):25
温度(℃): -55 ~150
描述:30V,71A,
- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 BSC150N03LDG,150N03LD,BSC150N03
信息内容：产品型号:BSC150N03LDG 封装:QFN-8 5*6/PG-TDSON-8 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30 夹断电压VGS(V):±20 雪崩能量EAS(mJ):10 漏极电流Id(A):20 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.015 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):2.2 功率PD(W):26 极间电容Ciss(PF):850 typ. 通道极性:双N 低频跨导gFS(s)：35 温度(℃): -55 ~150 描述:30V,20A, Dual N-channel, logic level OptiMOS Power-Transistor
供应 场效应管 AP83T03GH-HF,83T03GH,AP83T03GH
信息内容：产品型号:AP83T03GH-HF 封装:SOT-252 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):75 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.006 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):3 功率PD(W):60 输入电容Ciss(PF):1150 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：55 单脉冲雪崩能量EAS(mJ): 导通延迟时间Td(on)(ns):9.5 typ. 上升时间Tr(ns):86 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):24 typ. 下降时间Tf(ns):14 typ. 温度(℃): -55 ~175 描述:30V,75A N-沟道增强型场效应晶体管
