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原装现货长期供应IR场效应管IRFP250NPBF IRFP250MPBF IRFP250N

价 格: 0.01
品牌/商标:IR/国际整流器
型号/规格:IRFP250NPBF
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
用途:A/宽频带放大
封装外形:CER-DIP/陶瓷直插
材料:GE-N-FET锗N沟道
开启电压:200(V)
极间电容:2159(pF)
漏极电流:30(mA)
耗散功率:214(mW)

标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C漏极至源极电压(Vdss)电流 - 连续漏极(Id) @ 25° CId 时的 Vgs(th)()闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - 安装类型封装/外壳包装供应商设备封装
325
分离式半导体产品
MOSFET,GaNFET - 单
HEXFET®
MOSFET N 通道,金属氧化物
标准型
75 毫欧 @ 18A, 10V
200V
30A
4V @ 250µA
123nC @ 10V
2159pF @ 25V
214W
通孔
TO-247-3 (直引线), TO-247AC
散装
TO-247AC

科顺龙电子商行主要经销的产品有:场效应管,电源控制IC,IGBT,MCU单片机,LCD驱动IC等等。

优势品牌热卖:IR(国际整流器),VISHAY(威世),ST(意法半导体),ON(安森美半导体)。

彭志毫
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
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  • 联系人: 彭志毫
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IRF520PBF IRF520 - 场效应管 MOSFET N IR/VISHAY原装

信息内容:

dzsc/18/8759/18875954.jpg标准包装1,000类别分离式半导体产品家庭FET - 单系列-FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物FET 特点标准型漏极至源极电压(Vdss)100V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C9.2A开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C270 毫欧 @ 5.5A, 10VId 时的 Vgs(th)()4V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs16nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss)360pF @ 25V功率 - 60W安装类型通孔封装/外壳TO-220-3供应商设备封装TO-220AB包装管件深圳科顺龙电子其它名称*IRF520PBFdzsc/18/8759/18875954.jpgVISHAY-FORMERLY INTERNATIONAL RECTIFIER - IRF520PBF - 场效应管 MOSFET N TO-220 100V 9.2A制造商:VISHAY-FORMERLY INTERNATIONAL RECTIFIER库存编号:8648239制造商编号:IRF520PBF 晶体管极性:ñ频道电流, Id 连续:9.2A电压, Vds :100V在电阻RDS(上):270mohm电?? @ Rds测量:10V阈值电压, Vgs th 典型值:4V功耗, Pd:60W工作温度范围:-55°C 到 175°C封装类型:TO-220AB针脚数:3SVHC(高度关注物质):No SVHC (20-Jun-2011)功率, Pd:60W功耗:60W封装类型:TO-220AB漏极电流, Id 值:9.2A热阻, 结至外壳 A:2.5°C/W电压 Vgs @ Rds on 测量:10V电压, Vds 典型值:100V电压...

详细内容>>

IRL3103 IRL3103PBF IR 场效应管 MOSFET N 30V 56A 进口全新

信息内容:

(深圳科顺龙电子)产品详情: INTERNATIONAL RECTIFIER - IRL3103PBF - 场效应管 MOSFET N TO-220 30V 56Adzsc/18/8760/18876080.jpg产品信息

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