价 格: | 0.01 | |
品牌/商标: | IR/国际整流器 | |
型号/规格: | IRFP250NPBF | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | A/宽频带放大 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
材料: | GE-N-FET锗N沟道 | |
开启电压: | 200(V) | |
极间电容: | 2159(pF) | |
漏极电流: | 30(mA) | |
耗散功率: | 214(mW) |
325 |
分离式半导体产品 |
MOSFET,GaNFET - 单 |
HEXFET® |
MOSFET N 通道,金属氧化物 |
标准型 |
75 毫欧 @ 18A, 10V |
200V |
30A |
4V @ 250µA |
123nC @ 10V |
2159pF @ 25V |
214W |
通孔 |
TO-247-3 (直引线), TO-247AC |
散装 |
TO-247AC |
科顺龙电子商行主要经销的产品有:场效应管,电源控制IC,IGBT,MCU单片机,LCD驱动IC等等。
优势品牌热卖:IR(国际整流器),VISHAY(威世),ST(意法半导体),ON(安森美半导体)。dzsc/18/8759/18875954.jpg标准包装1,000类别分离式半导体产品家庭FET - 单系列-FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物FET 特点标准型漏极至源极电压(Vdss)100V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C9.2A开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C270 毫欧 @ 5.5A, 10VId 时的 Vgs(th)()4V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs16nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss)360pF @ 25V功率 - 60W安装类型通孔封装/外壳TO-220-3供应商设备封装TO-220AB包装管件深圳科顺龙电子其它名称*IRF520PBFdzsc/18/8759/18875954.jpgVISHAY-FORMERLY INTERNATIONAL RECTIFIER - IRF520PBF - 场效应管 MOSFET N TO-220 100V 9.2A制造商:VISHAY-FORMERLY INTERNATIONAL RECTIFIER库存编号:8648239制造商编号:IRF520PBF 晶体管极性:ñ频道电流, Id 连续:9.2A电压, Vds :100V在电阻RDS(上):270mohm电?? @ Rds测量:10V阈值电压, Vgs th 典型值:4V功耗, Pd:60W工作温度范围:-55°C 到 175°C封装类型:TO-220AB针脚数:3SVHC(高度关注物质):No SVHC (20-Jun-2011)功率, Pd:60W功耗:60W封装类型:TO-220AB漏极电流, Id 值:9.2A热阻, 结至外壳 A:2.5°C/W电压 Vgs @ Rds on 测量:10V电压, Vds 典型值:100V电压...
(深圳科顺龙电子)产品详情: INTERNATIONAL RECTIFIER - IRL3103PBF - 场效应管 MOSFET N TO-220 30V 56Adzsc/18/8760/18876080.jpg产品信息