供应 场效应管 CEP6060N,CEP6060
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | CEP6060N,TO-220,DIP/MOS,N场,60V ,42A,0.025Ω | |
| 品牌/商标： | CET/华瑞 | |
| 封装形式： | TO-220 | |
| 环保类别： | 普通型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 1000/盒 |
MOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具
功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板.
产品型号:CEP6060N
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):60
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):42
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.025
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):88
极间电容Ciss(PF):1320
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):TO-220 /-65 ~175
描述:60V, 42A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 BSC252N10NSFG,252N10NS,BSC252N10
信息内容：产品型号:BSC252N10NSFG 封装:QFN-8 5*6/PG-TDSON-8 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):100 夹断电压VGS(V):±20 雪崩能量EAS(mJ):68 漏极电流Id(A):45 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0252 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4 功率PD(W):78 极间电容Ciss(PF):1100 通道极性:N通道 低频跨导gFS(s)：35 温度(℃): -55 ~150 描述:100V,45A, N-channel OptiMOS Power-MOSFET
供应 场效应管 IPG20N06S2L-35,2N06L35
信息内容：产品型号:IPG20N06S2L-35 标记：2N06L35 封装:QFN-8 5*6(PG-TDSON-8-4) 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):55 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):20 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):35 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):2 功率PD(W):65 极间电容Ciss(PF):610 通道极性:双N 低频跨导gFS(s)： 温度(℃):-55 ~175 描述:55V,20A Dual N-Channel OptiMOS?-T2 Power-Transistor Features ? Dual N-channel Logic Level - Enhancement mode ? AEC Q101 qualified ? MSL1 up to 260°C peak reflow ? 175°C operating temperature ? Green Product (RoHS compliant) ? 100% Avalanche tested
