供应 场效应管 BSC252N10NSFG,252N10NS,BSC252N10
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | BSC252N10NSFG,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,N场,100V,40A | |
| 品牌/商标： | INFINEON（英飞凌） | |
| 封装形式： | QFN-8 5*6/PG-TDSON-8 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 5000/盘 |
产品型号:BSC252N10NSFG
封装:QFN-8 5*6/PG-TDSON-8
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):100
夹断电压VGS(V):±20
雪崩能量EAS(mJ):68
漏极电流Id(A):45
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0252 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):78
极间电容Ciss(PF):1100
通道极性:N通道
低频跨导gFS(s)：35
温度(℃): -55 ~150
描述:100V,45A, N-channel OptiMOS Power-MOSFET
- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 IPG20N06S2L-35,2N06L35
信息内容：产品型号:IPG20N06S2L-35 标记：2N06L35 封装:QFN-8 5*6(PG-TDSON-8-4) 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):55 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):20 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):35 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):2 功率PD(W):65 极间电容Ciss(PF):610 通道极性:双N 低频跨导gFS(s)： 温度(℃):-55 ~175 描述:55V,20A Dual N-Channel OptiMOS?-T2 Power-Transistor Features ? Dual N-channel Logic Level - Enhancement mode ? AEC Q101 qualified ? MSL1 up to 260°C peak reflow ? 175°C operating temperature ? Green Product (RoHS compliant) ? 100% Avalanche tested
供应 场效应管 BSC026N02KSG 026N02KS BSC026N02
信息内容：产品型号:BSC026N02KSG 封装:QFN-8 5*6/PG-TDSON-8 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):20 夹断电压VGS(V):±12 雪崩能量EAS(mJ):550 漏极电流Id(A):100 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0026 @VGS = 4.5V 开启电压VGS(TH)(V):1.2 功率PD(W):78 极间电容Ciss(PF):5900 typ. 通道极性:N通道 低频跨导gFS(s)：190 温度(℃): -55 ~150 描述:20V,100A,OptiMOS Power-Transistor
