场效应管IR系列产品 IRF820 IRF820NPBF 2.5A 500V 原装进囗
| 价 格： | 1.80 | |
| 品牌/商标： | IR/国际整流器 | |
| 型号/规格： | IRF820NPBF | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | SW-REG/开关电源 | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 材料： | GE-N-FET锗N沟道 |
| IRF820PBF Packaging Information |
| TO-220-3, TO-220AB |
| IR(F,L)x Series Side 1 IR(F,L)x Series Side 2 |
| 1,000 |
| 分离式半导体产品 |
| FET - 单 |
| - |
| MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 标准型 |
| 500V |
| 2.5A |
| 3 欧姆 @ 1.5A, 10V |
| 4V @ 250µA |
| 24nC @ 10V |
| 360pF @ 25V |
| 50W |
| 通孔 |
| TO-220-3 |
| TO-220AB |
| 管件 |
| 1528 (CN2011-ZH PDF) |
| *IRF820PBF |
dzsc/18/8704/18870486.jpg
经营 二三极管 场效应管 可控硅 整流桥 CYT电源管理 经营品牌 保征质量
- 所属城市：广东 东莞
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- 联系人： 邹德庆
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场效应管IR系列产品 IRF640 IRF640NPBF 20A 200V 原装进囗
信息内容：数据列表IRF640N(S,L)PbF产品相片TO-220-3, TO-220AB产品目录绘图IR Hexfet TO-220AB标准包装50类别分离式半导体产品家庭FET - 单系列HEXFET®FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点标准型漏极至源极电压(Vdss)200V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C18A开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C150 毫欧 @ 11A, 10VId 时的 Vgs(th)（）4V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs67nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds1160pF @ 25V功率 - 150W安装类型通孔封装/外壳TO-220-3供应商设备封装TO-220AB包装管件产品目录页面1518 (CN2011-ZH PDF)其它名称*IRF640NPBF经营 二三极管 场效应管 可控硅 整流桥 CYT电源管理 经营品牌 保征质量
场效应管IR系列产品 4N60 4A 600V TO-220 全新的
信息内容：数据列表FCP4N60产品相片TO-220-3, TO-220AB产品目录绘图MOSFET TO-220F标准包装50类别分离式半导体产品家庭FET - 单系列SuperFET™FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点标准型漏极至源极电压(Vdss)600V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3.9A开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C1.2 欧姆 @ 2A, 10VId 时的 Vgs(th)（）5V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs16.6nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds540pF @ 25V功率 - 50W安装类型通孔封装/外壳TO-220-3供应商设备封装TO-220包装管件产品目录页面1608 (CN2011-ZH PDF)dzsc/18/8704/18870492.jpg经营 二三极管 场效应管 可控硅 整流桥 CYT电源管理 经营品牌 保征质量
