价 格: | 1.60 | |
品牌/商标: | IR/国际整流器 | |
型号/规格: | MTP4N60 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | SW-REG/开关电源 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
材料: | GE-N-FET锗N沟道 |
FCP4N60 |
TO-220-3, TO-220AB |
MOSFET TO-220F |
50 |
分离式半导体产品 |
FET - 单 |
SuperFET™ |
MOSFET N 通道,金属氧化物 |
标准型 |
600V |
3.9A |
1.2 欧姆 @ 2A, 10V |
5V @ 250µA |
16.6nC @ 10V |
540pF @ 25V |
50W |
通孔 |
TO-220-3 |
TO-220 |
管件 |
1608 (CN2011-ZH PDF) |
dzsc/18/8704/18870492.jpg
经营 二三极管 场效应管 可控硅 整流桥 CYT电源管理 经营品牌 保征质量
经营 二三极管 场效应管 可控硅 整流桥 CYT电源管理 经营品牌 保征质量dzsc/18/8704/18870496.jpg"
数据列表FQP5N80产品相片TO-220-3, TO-220AB产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing产品变化通告Product Discontinuation 14/Mar/2011标准包装50类别分离式半导体产品家庭FET - 单系列QFET™FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物FET 特点标准型漏极至源极电压(Vdss)800V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C4.8A开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C2.6 欧姆 @ 2.4A, 10VId 时的 Vgs(th)()5V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs33nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds1250pF @ 25V功率 - 140W安装类型通孔封装/外壳TO-220-3供应商设备封装TO-220包装管件dzsc/18/8704/18870499.jpg经营 二三极管 场效应管 可控硅 整流桥 CYT电源管理 经营品牌 保征质量