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场效应管IR系列产品 P5N80 5A 800V 140W TO-220 全新的

价 格: 1.90
品牌/商标:IR/国际整流器
型号/规格:P5N80
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
用途:SW-REG/开关电源
封装外形:CER-DIP/陶瓷直插
材料:GE-N-FET锗N沟道

数据列表产品相片产品培训模块产品变化通告标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点漏极至源极电压(Vdss)电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° CId 时的 Vgs(th)()闸电荷(Qg) @ Vgs输入电容 (Ciss) @ Vds功率 - 安装类型封装/外壳供应商设备封装包装
FQP5N80
TO-220-3, TO-220AB
High Voltage Switches for Power Processing
Product Discontinuation 14/Mar/2011
50
分离式半导体产品
FET - 单
QFET™
MOSFET N 通道,金属氧化物
标准型
800V
4.8A
2.6 欧姆 @ 2.4A, 10V
5V @ 250µA
33nC @ 10V
1250pF @ 25V
140W
通孔
TO-220-3
TO-220
管件

dzsc/18/8704/18870499.jpg

经营  二三极管  场效应管 可控硅   整流桥   CYT电源管理  经营品牌   保征质量

东莞市东城满通电子经营部
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 东莞
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 邹德庆
  • 电话:
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  • 手机:13580886332
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场效应管IR系列产品 G4PC40W 40A/600V 原装进囗

信息内容:

dzsc/18/8705/18870518.jpg数据列表IRG4PC40WPbF产品相片TO-247-3产品目录绘图IRG Series CircuitIR Transistor TO-247AC标准包装25类别分离式半导体产品家庭IGBT - 单路系列-IGBT 类型-电压 - 集电极发射极击穿()600VVge, Ic时的Vce(开)2.5V @ 15V, 20A电流 - 集电极 (Ic)()40A功率 - 160W输入类型标准型安装类型通孔封装/外壳TO-247-3供应商设备封装TO-247AC包装散装产品目录页面1516 (CN2011-ZH PDF)其它名称*IRG4PC40WPBF"

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场效应管IR系列产品 IRFZ46 IRFZ46N 50A 55V 120W 原装进囗

信息内容:

数据列表IRFZ46NPbF产品相片TO-220-3, TO-220AB产品目录绘图IR Hexfet TO-220AB标准包装50类别分离式半导体产品家庭FET - 单系列HEXFET®FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物FET 特点标准型漏极至源极电压(Vdss)55V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C53A开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C16.5 毫欧 @ 28A, 10VId 时的 Vgs(th)()4V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs72nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds1696pF @ 25V功率 - 107W安装类型通孔封装/外壳TO-220-3供应商设备封装TO-220AB包装管件产品目录页面1518 (CN2011-ZH PDF)其它名称*IRFZ46NPBF经营 二三极管 场效应管 可控硅 整流桥 CYT电源管理 经营品牌 保征质dzsc/18/8705/18870522.jpg量

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