价 格: | 1.90 | |
品牌/商标: | IR/国际整流器 | |
型号/规格: | P5N80 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | SW-REG/开关电源 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
材料: | GE-N-FET锗N沟道 |
FQP5N80 |
TO-220-3, TO-220AB |
High Voltage Switches for Power Processing |
Product Discontinuation 14/Mar/2011 |
50 |
分离式半导体产品 |
FET - 单 |
QFET™ |
MOSFET N 通道,金属氧化物 |
标准型 |
800V |
4.8A |
2.6 欧姆 @ 2.4A, 10V |
5V @ 250µA |
33nC @ 10V |
1250pF @ 25V |
140W |
通孔 |
TO-220-3 |
TO-220 |
管件 |
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经营 二三极管 场效应管 可控硅 整流桥 CYT电源管理 经营品牌 保征质量
dzsc/18/8705/18870518.jpg数据列表IRG4PC40WPbF产品相片TO-247-3产品目录绘图IRG Series CircuitIR Transistor TO-247AC标准包装25类别分离式半导体产品家庭IGBT - 单路系列-IGBT 类型-电压 - 集电极发射极击穿()600VVge, Ic时的Vce(开)2.5V @ 15V, 20A电流 - 集电极 (Ic)()40A功率 - 160W输入类型标准型安装类型通孔封装/外壳TO-247-3供应商设备封装TO-247AC包装散装产品目录页面1516 (CN2011-ZH PDF)其它名称*IRG4PC40WPBF"
数据列表IRFZ46NPbF产品相片TO-220-3, TO-220AB产品目录绘图IR Hexfet TO-220AB标准包装50类别分离式半导体产品家庭FET - 单系列HEXFET®FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物FET 特点标准型漏极至源极电压(Vdss)55V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C53A开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C16.5 毫欧 @ 28A, 10VId 时的 Vgs(th)()4V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs72nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds1696pF @ 25V功率 - 107W安装类型通孔封装/外壳TO-220-3供应商设备封装TO-220AB包装管件产品目录页面1518 (CN2011-ZH PDF)其它名称*IRFZ46NPBF经营 二三极管 场效应管 可控硅 整流桥 CYT电源管理 经营品牌 保征质dzsc/18/8705/18870522.jpg量