价 格: | 1.80 | |
品牌/商标: | IR/国际整流器 | |
型号/规格: | IRFZ46NPBF | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | SW-REG/开关电源 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
材料: | GE-N-FET锗N沟道 |
IRFZ46NPbF |
TO-220-3, TO-220AB |
IR Hexfet TO-220AB |
50 |
分离式半导体产品 |
FET - 单 |
HEXFET® |
MOSFET N 通道,金属氧化物 |
标准型 |
55V |
53A |
16.5 毫欧 @ 28A, 10V |
4V @ 250µA |
72nC @ 10V |
1696pF @ 25V |
107W |
通孔 |
TO-220-3 |
TO-220AB |
管件 |
1518 (CN2011-ZH PDF) |
*IRFZ46NPBF |
经营 二三极管 场效应管 可控硅 整流桥 CYT电源管理 经营品牌 保征质dzsc/18/8705/18870522.jpg
量
经营 二三极管 场效应管 可控硅 整流桥 CYT电源管理 经营品牌 保征质量dzsc/18/8710/18871030.jpg"
数据列表IRF634PBFPackaging Information产品相片TO-220-3, TO-220AB标准包装1,000类别分离式半导体产品家庭FET - 单系列-FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物FET 特点标准型漏极至源极电压(Vdss)250V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C8.1A开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C450 毫欧 @ 5.1A, 10VId 时的 Vgs(th)()4V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs41nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds770pF @ 25V功率 - 74W安装类型通孔封装/外壳TO-220-3供应商设备封装TO-220AB包装管件其它名称*IRF634PBF经营 二三极管 场效应管 可控硅 整流桥 CYT电源管理 经营品牌 保征质dzsc/18/8712/18871243.jpg量"