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场效应管IR系列产品 IRF640 IRF640NPBF 20A 200V 原装进囗

价 格: 1.65
品牌/商标:IR/国际整流器
型号/规格:IRF640NPBF
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
用途:SW-REG/开关电源
封装外形:CER-DIP/陶瓷直插
材料:GE-N-FET锗N沟道

数据列表产品相片产品目录绘图标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点漏极至源极电压(Vdss)电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° CId 时的 Vgs(th)()闸电荷(Qg) @ Vgs输入电容 (Ciss) @ Vds功率 - 安装类型封装/外壳供应商设备封装包装产品目录页面其它名称
IRF640N(S,L)PbF
TO-220-3, TO-220AB
IR Hexfet TO-220AB
50
分离式半导体产品
FET - 单
HEXFET®
MOSFET N 通道,金属氧化物
标准型
200V
18A
150 毫欧 @ 11A, 10V
4V @ 250µA
67nC @ 10V
1160pF @ 25V
150W
通孔
TO-220-3
TO-220AB
管件
1518 (CN2011-ZH PDF)
*IRF640NPBF
经营  二三极管  场效应管 可控硅   整流桥   CYT电源管理  经营品牌   保征质量
 

东莞市东城满通电子经营部
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 东莞
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 邹德庆
  • 电话:
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  • 手机:13580886332
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信息内容:

数据列表FCP4N60产品相片TO-220-3, TO-220AB产品目录绘图MOSFET TO-220F标准包装50类别分离式半导体产品家庭FET - 单系列SuperFET™FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物FET 特点标准型漏极至源极电压(Vdss)600V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3.9A开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C1.2 欧姆 @ 2A, 10VId 时的 Vgs(th)()5V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs16.6nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds540pF @ 25V功率 - 50W安装类型通孔封装/外壳TO-220-3供应商设备封装TO-220包装管件产品目录页面1608 (CN2011-ZH PDF)dzsc/18/8704/18870492.jpg经营 二三极管 场效应管 可控硅 整流桥 CYT电源管理 经营品牌 保征质量

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