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ZXMN6A11GTA 场效应管ZETEX

价 格: 面议
品牌:Zetex/捷特科
型号:ZXMN6A11GTA
种类:结型(JFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
用途:MOS-TPBM/三相桥
封装外形:CHIP/小型片状
材料:N-FET硅N沟道
开启电压:60(V)
夹断电压:60(V)
低频跨导:1(μS)
极间电容:1(pF)
低频噪声系数:1(dB)
漏极电流:1(mA)
耗散功率:2000(mW)

規格書產品相片產品目錄繪圖標準包裝類別家庭系列FET型FET特點開態Rds()@ Id, Vgs @ 25° C漏極至源極的電壓(Vdss)Id時的Vgs(th)(值)閘電流(Qg) @ Vgs電流 - 連續漏極(Id) @ 25° CVds時的輸入電容(Ciss)功率 - 安裝類型封裝/外殼封裝產品目錄頁面其他名稱
ZXMN6A11G SERIES
SOT-223-4 Pkg
SOT-223
SOT-223 Footprint
1,000
離散半導體產品
MOSFET,GaNFET - 單
-
MOSFET N通道,金屬氧化物
邏輯電平閘極
120 毫歐姆 @ 2.5A, 10V
60V
1V @ 250µA
5.7nC @ 10V
3.1A
330pF @ 40V
2W
表面黏著式
SOT-223(3引線 + 接頭),SC-73,TO-261AA
編帶和捲軸封裝(TR)
1380 (TW091-10 PDF)
ZXMN6A11GTR

"

结型场效应管 深圳市长亮源科技有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 古泳
  • 电话:
  • 传真:
  • 手机:13686863821
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STP60NF06 STP55NF06 STP75NF75 STP85NF06 ST公司 MOS管

信息内容:

数据列表STP60NF06产品相片TO-220 Pkg产品目录绘图ST Series TO-220标准包装50类别分离式半导体产品家庭MOSFET,GaNFET - 单系列STripFET™FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物FET 特点标准型开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C16 毫欧 @ 30A, 10V漏极至源极电压(Vdss)60VId 时的 Vgs(th)()4V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs73nC @ 10V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C60A在 Vds 时的输入电容(Ciss)1660pF @ 25V功率 - 110W安装类型通孔封装/外壳TO-220-3 (直引线)包装管件供应商设备封装*产品目录页面1392 (CN091-10 PDF)其它名称497-2779-5

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IRFB31N20DPBF FB31N20 B31N20D 全新原装IR公司TO-220 31A 2

信息内容:

規格書IRFB31N20DPbF, IRFS(L)31N20DPbF產品相片TO-220AB Pkg產品目錄繪圖IR Hexfet TO-220AB標準包裝50類別離散半導體產品家庭MOSFET,GaNFET - 單系列HEXFET®FET型MOSFET N通道,金屬氧化物FET特點標準開態Rds()@ Id, Vgs @ 25° C82 毫歐姆 @ 18A, 10V漏極至源極的電壓(Vdss)200V電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C31AId時的Vgs(th)(值)5.5V @ 250µA閘電流(Qg) @ Vgs107nC @ 10VVds時的輸入電容(Ciss)2370pF @ 25V功率 - 3.1W安裝類型通孔封裝/外殼TO-220-3封裝管裝供應商設備封裝TO-220AB其他名稱*IRFB31N20DPBF

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