价 格: | 面议 | |
品牌: | Zetex/捷特科 | |
型号: | ZXMN6A11GTA | |
种类: | 结型(JFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | MOS-TPBM/三相桥 | |
封装外形: | CHIP/小型片状 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
开启电压: | 60(V) | |
夹断电压: | 60(V) | |
低频跨导: | 1(μS) | |
极间电容: | 1(pF) | |
低频噪声系数: | 1(dB) | |
漏极电流: | 1(mA) | |
耗散功率: | 2000(mW) |
ZXMN6A11G SERIES |
SOT-223-4 Pkg |
SOT-223 SOT-223 Footprint |
1,000 |
離散半導體產品 |
MOSFET,GaNFET - 單 |
- |
MOSFET N通道,金屬氧化物 |
邏輯電平閘極 |
120 毫歐姆 @ 2.5A, 10V |
60V |
1V @ 250µA |
5.7nC @ 10V |
3.1A |
330pF @ 40V |
2W |
表面黏著式 |
SOT-223(3引線 + 接頭),SC-73,TO-261AA |
編帶和捲軸封裝(TR) |
1380 (TW091-10 PDF) |
ZXMN6A11GTR |
数据列表STP60NF06产品相片TO-220 Pkg产品目录绘图ST Series TO-220标准包装50类别分离式半导体产品家庭MOSFET,GaNFET - 单系列STripFET™FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物FET 特点标准型开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C16 毫欧 @ 30A, 10V漏极至源极电压(Vdss)60VId 时的 Vgs(th)()4V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs73nC @ 10V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C60A在 Vds 时的输入电容(Ciss)1660pF @ 25V功率 - 110W安装类型通孔封装/外壳TO-220-3 (直引线)包装管件供应商设备封装*产品目录页面1392 (CN091-10 PDF)其它名称497-2779-5
規格書IRFB31N20DPbF, IRFS(L)31N20DPbF產品相片TO-220AB Pkg產品目錄繪圖IR Hexfet TO-220AB標準包裝50類別離散半導體產品家庭MOSFET,GaNFET - 單系列HEXFET®FET型MOSFET N通道,金屬氧化物FET特點標準開態Rds()@ Id, Vgs @ 25° C82 毫歐姆 @ 18A, 10V漏極至源極的電壓(Vdss)200V電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C31AId時的Vgs(th)(值)5.5V @ 250µA閘電流(Qg) @ Vgs107nC @ 10VVds時的輸入電容(Ciss)2370pF @ 25V功率 - 3.1W安裝類型通孔封裝/外殼TO-220-3封裝管裝供應商設備封裝TO-220AB其他名稱*IRFB31N20DPBF