IRFB31N20DPBF FB31N20 B31N20D 全新原装IR公司TO-220 31A 2
| 价 格： | 3.75 | |
| 品牌/商标： | IR/国际整流器 | |
| 型号/规格： | IRFB31N20DPBF | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | D-G双栅四极 | |
| 封装外形： | P-DIT/塑料双列直插 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 开启电压： | 200（V） | |
| 夹断电压： | 200（V） | |
| 极间电容： | 10（pF） | |
| 低频噪声系数： | 10（dB） | |
| 漏极电流： | 3100（mA） | |
| 耗散功率： | 250（mW） |
| IRFB31N20DPbF, IRFS(L)31N20DPbF |
| TO-220AB Pkg |
| IR Hexfet TO-220AB |
| 50 |
| 離散半導體產品 |
| MOSFET，GaNFET - 單 |
| HEXFET® |
| MOSFET N通道，金屬氧化物 |
| 標準 |
| 82 毫歐姆 @ 18A, 10V |
| 200V |
| 31A |
| 5.5V @ 250µA |
| 107nC @ 10V |
| 2370pF @ 25V |
| 3.1W |
| 通孔 |
| TO-220-3 |
| 管裝 |
| TO-220AB |
| *IRFB31N20DPBF |
- 所属城市：广东 深圳
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IRG4BC20KD G4BC20KD IRG4BC20UD IRG4BC20WD TO-220AB
信息内容：規格書IRG4BC20KDPbF產品相片TO-220AB Pkg產品目錄繪圖IR Transistor TO-220ABIRG Series Circuit標準包裝50類別離散半導體產品家庭IGBT - 單路系列-IGBT類型-電壓 - 集電極發射極擊穿（值）600VVge, Ic時的Vce（開）2.8V @ 15V, 9A電流 - 集電極(Ic)（值）16A功率 - 60W輸入類型標準安裝類型通孔封裝/外殼TO-220-3供應商設備封裝TO-220AB封裝管裝產品目錄頁面1546 (TW2011-ZH PDF)其他名稱*IRG4BC20KDPBF規格書IRG4BC20KDPbF產品相片TO-220AB Pkg產品目錄繪圖IR Transistor TO-220ABIRG Series Circuit標準包裝50類別離散半導體產品家庭IGBT - 單路系列-IGBT類型-電壓 - 集電極發射極擊穿（值）600VVge, Ic時的Vce（開）2.8V @ 15V, 9A電流 - 集電極(Ic)（值）16A功率 - 60W輸入類型標準安裝類型通孔封裝/外殼TO-220-3供應商設備封裝TO-220AB封裝管裝產品目錄頁面1546 (TW2011-ZH PDF)其他名稱*IRG4BC20KDPBF
IRFBE30PBF IRFBE30 BE30 全新原装VISHAY公司 TO-220
信息内容：規格書IRFBE30產品相片TO-220AB PKG產品目錄繪圖IR(F,L)x Series Side 1IR(F,L)x Series Side 2標準包裝1,000類別離散半導體產品家庭MOSFET，GaNFET - 單系列-FET型MOSFET N通道，金屬氧化物FET特點標準開態Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C3 歐姆 @ 2.5A, 10V漏極至源極的電壓(Vdss)800V電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C4.1AId時的Vgs(th)（值）4V @ 250µA閘電流(Qg) @ Vgs78nC @ 10VVds時的輸入電容(Ciss)1300pF @ 25V功率 - 125W安裝類型通孔封裝/外殼TO-220-3封裝管裝供應商設備封裝TO-220AB其他名稱*IRFBE30PBF"
