| 价 格: | 6.10 | |
| 品牌: | IR/国际整流器 | |
| 型号: | IRG4BC20KDPbF | |
| 种类: | 结型(JFET) | |
| 沟道类型: | N沟道 | |
| 导电方式: | 增强型 | |
| 用途: | HI-REL/高可靠性 | |
| 封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 材料: | GE-N-FET锗N沟道 | |
| 开启电压: | 600(V) | |
| 夹断电压: | 600(V) | |
| 跨导: | 5(μS) | |
| 极间电容: | 3(pF) | |
| 低频噪声系数: | 2(dB) | |
| 漏极电流: | 16A(mA) | |
| 耗散功率: | 60W(mW) |
| IRG4BC20KDPbF | |||||||||||||||||||
| TO-220AB Pkg | |||||||||||||||||||
| IR Transistor TO-220AB IRG Series Circuit | |||||||||||||||||||
| 50 | |||||||||||||||||||
| 離散半導體產品 | |||||||||||||||||||
| IGBT - 單路 | |||||||||||||||||||
| - | |||||||||||||||||||
| - | |||||||||||||||||||
| 600V | |||||||||||||||||||
| 2.8V @ 15V, 9A | |||||||||||||||||||
| 16A | |||||||||||||||||||
| 60W | |||||||||||||||||||
| 標準 | |||||||||||||||||||
| 通孔 | |||||||||||||||||||
| TO-220-3 | |||||||||||||||||||
| TO-220AB | |||||||||||||||||||
| 管裝 | |||||||||||||||||||
| 1546 (TW2011-ZH PDF) | |||||||||||||||||||
*IRG4BC20KDPBF
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規格書IRFBE30產品相片TO-220AB PKG產品目錄繪圖IR(F,L)x Series Side 1IR(F,L)x Series Side 2標準包裝1,000類別離散半導體產品家庭MOSFET,GaNFET - 單系列-FET型MOSFET N通道,金屬氧化物FET特點標準開態Rds()@ Id, Vgs @ 25° C3 歐姆 @ 2.5A, 10V漏極至源極的電壓(Vdss)800V電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C4.1AId時的Vgs(th)(值)4V @ 250µA閘電流(Qg) @ Vgs78nC @ 10VVds時的輸入電容(Ciss)1300pF @ 25V功率 - 125W安裝類型通孔封裝/外殼TO-220-3封裝管裝供應商設備封裝TO-220AB其他名稱*IRFBE30PBF"
規格書IRG4BC30KDPbF產品相片TO-220AB Pkg產品目錄繪圖IR Transistor TO-220ABIRG Series Circuit標準包裝50類別離散半導體產品家庭IGBT - 單路系列-IGBT類型-電壓 - 集電極發射極擊穿(值)600VVge, Ic時的Vce(開)2.7V @ 15V, 16A電流 - 集電極(Ic)(值)28A功率 - 100W輸入類型標準安裝類型通孔封裝/外殼TO-220-3供應商設備封裝TO-220AB封裝管裝產品目錄頁面1546 (TW2011-ZH PDF)其他名稱*IRG4BC30KDPBF規格書IRG4BC30KDPbF產品相片TO-220AB Pkg產品目錄繪圖IR Transistor TO-220ABIRG Series Circuit標準包裝50類別離散半導體產品家庭IGBT - 單路系列-IGBT類型-電壓 - 集電極發射極擊穿(值)600VVge, Ic時的Vce(開)2.7V @ 15V, 16A電流 - 集電極(Ic)(值)28A功率 - 100W輸入類型標準安裝類型通孔封裝/外殼TO-220-3供應商設備封裝TO-220AB封裝管裝產品目錄頁面1546 (TW2011-ZH PDF)其他名稱*IRG4BC30KDPBF