IRFBE30PBF IRFBE30 BE30 全新原装VISHAY公司 TO-220
| 价 格： | 3.00 | |
| 品牌/商标： | IR/国际整流器 | |
| 型号/规格： | IRFBE30PBF | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | L/功率放大 | |
| 封装外形： | P-DIT/塑料双列直插 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 开启电压： | 800（V） | |
| 夹断电压： | 800（V） | |
| 极间电容： | 10（pF） | |
| 低频噪声系数： | 10（dB） | |
| 漏极电流： | 4.1A（mA） | |
| 耗散功率： | 102（mW） |
| IRFBE30 |
| TO-220AB PKG |
| IR(F,L)x Series Side 1 IR(F,L)x Series Side 2 |
| 1,000 |
| 離散半導體產品 |
| MOSFET，GaNFET - 單 |
| - |
| MOSFET N通道，金屬氧化物 |
| 標準 |
| 3 歐姆 @ 2.5A, 10V |
| 800V |
| 4.1A |
| 4V @ 250µA |
| 78nC @ 10V |
| 1300pF @ 25V |
| 125W |
| 通孔 |
| TO-220-3 |
| 管裝 |
| TO-220AB |
| *IRFBE30PBF |
- 所属城市：广东 深圳
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G4BC30KD IRG4BC30KD IRG4BC30KDPBF ICBT管 TO-220AB 6
信息内容：規格書IRG4BC30KDPbF產品相片TO-220AB Pkg產品目錄繪圖IR Transistor TO-220ABIRG Series Circuit標準包裝50類別離散半導體產品家庭IGBT - 單路系列-IGBT類型-電壓 - 集電極發射極擊穿（值）600VVge, Ic時的Vce（開）2.7V @ 15V, 16A電流 - 集電極(Ic)（值）28A功率 - 100W輸入類型標準安裝類型通孔封裝/外殼TO-220-3供應商設備封裝TO-220AB封裝管裝產品目錄頁面1546 (TW2011-ZH PDF)其他名稱*IRG4BC30KDPBF規格書IRG4BC30KDPbF產品相片TO-220AB Pkg產品目錄繪圖IR Transistor TO-220ABIRG Series Circuit標準包裝50類別離散半導體產品家庭IGBT - 單路系列-IGBT類型-電壓 - 集電極發射極擊穿（值）600VVge, Ic時的Vce（開）2.7V @ 15V, 16A電流 - 集電極(Ic)（值）28A功率 - 100W輸入類型標準安裝類型通孔封裝/外殼TO-220-3供應商設備封裝TO-220AB封裝管裝產品目錄頁面1546 (TW2011-ZH PDF)其他名稱*IRG4BC30KDPBF
IGBT G4PH50UD IRG4PH50UD IRG4PH50UPBF G4PH40UD TO-
信息内容：規格書IRG4PH50UPbF產品相片TO-247-3標準包裝25類別離散半導體產品家庭IGBT - 單路系列-IGBT類型-電壓 - 集電極發射極擊穿（值）1200VVge, Ic時的Vce（開）3.7V @ 15V, 24A電流 - 集電極(Ic)（值）45A功率 - 200W輸入類型標準安裝類型通孔封裝/外殼TO-247-3 (TO-247AC)供應商設備封裝TO-247AC封裝散裝其他名稱*IRG4PH50UPBF規格書IRG4PH50UPbF產品相片TO-247-3標準包裝25類別離散半導體產品家庭IGBT - 單路系列-IGBT類型-電壓 - 集電極發射極擊穿（值）1200VVge, Ic時的Vce（開）3.7V @ 15V, 24A電流 - 集電極(Ic)（值）45A功率 - 200W輸入類型標準安裝類型通孔封裝/外殼TO-247-3 (TO-247AC)供應商設備封裝TO-247AC封裝散裝其他名稱*IRG4PH50UPBF
