STP60NF06 STP55NF06 STP75NF75 STP85NF06 ST公司 MOS管
| 价 格： | 2.05 | |
| 品牌： | STI美国半导体技术 | |
| 型号： | STP60NF06 | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 耗尽型 | |
| 用途： | D/变频换流 | |
| 封装外形： | P-DIT/塑料双列直插 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 开启电压： | 60（V） | |
| 夹断电压： | 60（V） | |
| 跨导： | 110（μS） | |
| 极间电容： | 36（pF） | |
| 低频噪声系数： | 15（dB） | |
| 漏极电流： | 600（mA） | |
| 耗散功率： | 1250（mW） |
|
- 所属城市：广东 深圳
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IRFB31N20DPBF FB31N20 B31N20D 全新原装IR公司TO-220 31A 2
信息内容：規格書IRFB31N20DPbF, IRFS(L)31N20DPbF產品相片TO-220AB Pkg產品目錄繪圖IR Hexfet TO-220AB標準包裝50類別離散半導體產品家庭MOSFET，GaNFET - 單系列HEXFET®FET型MOSFET N通道，金屬氧化物FET特點標準開態Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C82 毫歐姆 @ 18A, 10V漏極至源極的電壓(Vdss)200V電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C31AId時的Vgs(th)（值）5.5V @ 250µA閘電流(Qg) @ Vgs107nC @ 10VVds時的輸入電容(Ciss)2370pF @ 25V功率 - 3.1W安裝類型通孔封裝/外殼TO-220-3封裝管裝供應商設備封裝TO-220AB其他名稱*IRFB31N20DPBF
IRG4BC20KD G4BC20KD IRG4BC20UD IRG4BC20WD TO-220AB
信息内容：規格書IRG4BC20KDPbF產品相片TO-220AB Pkg產品目錄繪圖IR Transistor TO-220ABIRG Series Circuit標準包裝50類別離散半導體產品家庭IGBT - 單路系列-IGBT類型-電壓 - 集電極發射極擊穿（值）600VVge, Ic時的Vce（開）2.8V @ 15V, 9A電流 - 集電極(Ic)（值）16A功率 - 60W輸入類型標準安裝類型通孔封裝/外殼TO-220-3供應商設備封裝TO-220AB封裝管裝產品目錄頁面1546 (TW2011-ZH PDF)其他名稱*IRG4BC20KDPBF規格書IRG4BC20KDPbF產品相片TO-220AB Pkg產品目錄繪圖IR Transistor TO-220ABIRG Series Circuit標準包裝50類別離散半導體產品家庭IGBT - 單路系列-IGBT類型-電壓 - 集電極發射極擊穿（值）600VVge, Ic時的Vce（開）2.8V @ 15V, 9A電流 - 集電極(Ic)（值）16A功率 - 60W輸入類型標準安裝類型通孔封裝/外殼TO-220-3供應商設備封裝TO-220AB封裝管裝產品目錄頁面1546 (TW2011-ZH PDF)其他名稱*IRG4BC20KDPBF
