供应 场效应管 HAT2285WP,HAT2285,HAT2093R
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | HAT2285WP,QFN-8 5*6/WPAK,SMD/MOS,双N,30V/30V,14A/22A,0.024Ω | |
| 品牌/商标： | RENESAS（瑞萨） | |
| 封装形式： | QFN-8 5*6/WPAK | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 2500/盘 |
产品型号:HAT2285WP
特点
?低导通电阻
?可4.5 V门极驱动
?高密度安装
?内置的肖特基势垒二极管
封装:QFN-8 5*6/WPAK
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30/30
夹断电压VGS(V):±20/±12
漏极电流Id(A):14/22
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.024 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):2.5
功率PD(W):8/15
输入电容Ciss(PF):630 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：18
单脉冲雪崩能量EAR(mJ):40
导通延迟时间Td(on)(ns):7 typ.
上升时间Tr(ns):30 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):35 typ.
下降时间Tf(ns):3.6 typ.
温度(℃): –55 to +150/–55 to +150
描述:30V 14A/30V 22A N-沟道增强型场效应晶体管
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- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 Si7170DP-T1-GE3,Si7170DP,7176
信息内容：产品型号:Si7170DP-T1-GE3 特点 * 无卤素 * TrenchFET Power MOSFET * 100%的Rg测试 * 1005的雪崩测试 应用 * 低端笔记本电脑 * VRM POL 封装:QFN-8 5*6/PowerPAK SO-8 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):40 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0034 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):2.6 功率PD(W):48 输入电容Ciss(PF):4355 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：90 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):80 导通延迟时间Td(on)(ns):15 typ. 上升时间Tr(ns):10 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):35 typ. 下降时间Tf(ns):8 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:30V,40A N-沟道增强型场效应晶体管
供应 场效应管 AP95T07GP,95T07GP,AP95T07
信息内容：产品型号:AP95T07GP 封装:TO-220 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):75 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):80 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.005 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4 功率PD(W):300 输入电容Ciss(PF):4290 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：88 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):450 导通延迟时间Td(on)(ns):22 typ. 上升时间Tr(ns):160 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):38 typ. 下降时间Tf(ns):165 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:75V,80A N-沟道增强型场效应晶体管
