供应 场效应管 HAT2192WP,HAT2192,HAT2200
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | HAT2192WP,QFN-8 5*6/WPAK,SMD/MOS,N场,250V,10A,0.23Ω | |
| 品牌/商标： | RENESAS（瑞萨） | |
| 封装形式： | QFN-8 5*6/WPAK | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 2500/盘 |
产品型号:HAT2200WP
封装:QFN-8 5*6/WPAK
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):100
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):20
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.028 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):5
功率PD(W):20
输入电容Ciss(PF):2300 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：4.5
单脉冲雪崩能量EAR(mJ):40
导通延迟时间Td(on)(ns):16 typ.
上升时间Tr(ns):9.5 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):31 typ.
下降时间Tf(ns):4.6 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:100V,20A N-沟道增强型场效应晶体管
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- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 RJK0365DPA,RJK0355DPA
信息内容：产品型号:RJK0365DPA 特点 * 高速开关 * 可4.5 V栅极驱动器 * 低驱动电流 * 高密度安装 * 低导通电阻RDS(ON)= 7.0mΩ TYP.(VGS=10V) * 无铅 封装:QFN-8 5*6/WPAK 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):30 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0091 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):2.5 功率PD(W):30 输入电容Ciss(PF):1180 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：60 单脉冲雪崩能量EAR(mJ):14.4 导通延迟时间Td(on)(ns):5.4 typ. 上升时间Tr(ns):4 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):34 typ. 下降时间Tf(ns):4.3 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:30V,30A N-沟道增强型场效应晶体管 (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
供应 场效应管 RJK0349DPA,RJK0348DPA
信息内容：产品型号:RJK0349DPA 特点 * 高速开关 * 可4.5 V栅极驱动器 * 低驱动电流 * 高密度安装 * 低导通电阻RDS(ON)= 2.4mΩ TYP.(VGS=10V) * 无铅 封装:QFN-8 5*6/WPAK 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):45 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0031 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):2.5 功率PD(W):50 输入电容Ciss(PF):3850 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：110 单脉冲雪崩能量EAR(mJ):62.5 导通延迟时间Td(on)(ns):11 typ. 上升时间Tr(ns):6.5 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):58 typ. 下降时间Tf(ns):9.8 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:30V,45A N-沟道增强型场效应晶体管 (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
