N沟MOSF管FDS5670
| 价 格： | 5.00 |
| 品牌/商标 | 其他 | 型号/规格 | FDS5670 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | DIFF/差分放大 |
| 封装外形 | SMD(SO)/表面封装 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 60（V） | 夹断电压 | 10（V） |
| 跨导 | 0（μS） | 极间电容 | 0（pF） |
| 低频噪声系数 | 0（dB） | 漏极电流 | 0（mA） |
| 耗散功率 | 0（mW） |
| FDS5670 |
| 8-SOIC |
| High Voltage Switches for Power Processing |
| Cu Wirebond Change 12/Oct/2007 Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| Power MOSFET, 8-SOP, SO-8 |
| 2,500 |
| 分离式半导体产品 |
| FET - 单路 |
| PowerTrench® |
| MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 逻辑电平门 |
| 14 毫欧 @ 10A, 10V |
| 60V |
| 10A |
| 4V @ 250µA |
| 70nC @ 10V |
| 2900pF @ 15V |
| 1W |
| 表面贴装 |
| 8-SOIC（0.154", 3.90mm 宽） |
- 所属城市：广东 深圳
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N沟MOSF管FDS2582
信息内容：品牌/商标 其他 型号/规格 FDS2582 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 A/宽频带放大 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 150（V） 夹断电压 10（V） 跨导 0（μS） 极间电容 0（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 0（mA） 耗散功率 0（mW） 数据列表FDS2582产品相片8-SOIC产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing产品变化通告Cu Wirebond Change 12/Oct/2007Mold Compound Change 12/Dec/2007标准包装2,500类别分离式半导体产...
三极管BC847PN SOT-23-6
信息内容：品牌/商标 国产 型号/规格 BC847PN 应用范围 放大 材料 硅(Si) 极性 PNP型 击穿电压VCBO 45（V） 截止频率fT 300（MHz） 结构 面接触型 封装形式 贴片型 封装材料 塑料封装
