品牌/商标 | 国产 | 型号/规格 | BC847PN |
应用范围 | 放大 | 材料 | 硅(Si) |
极性 | PNP型 | 击穿电压VCBO | 45(V) |
截止频率fT | 300(MHz) | 结构 | 面接触型 |
封装形式 | 贴片型 | 封装材料 | 塑料封装 |
品牌/商标 其他 型号/规格 NDS336P 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 A/宽频带放大 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 20(V) 夹断电压 4.5(V) 跨导 0(μS) 极间电容 0(pF) 低频噪声系数 0(dB) 漏极电流 0(mA) 耗散功率 0(mW) SOT-23 12V-400V, P沟MOSFET数据列表NDS336P产品相片SOT-23-3产品变化通告Mold Compound Change 07/Dec/2007Product Discontinuation 09/Sept/2008产品目录绘图SuperSOT-3, SOT-23标准包装3,000类别分离式...
品牌/商标 FCH美国范恰得 型号/规格 FDD6670S 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 CC/恒流 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 30(V) 夹断电压 3(V) 跨导 0(μS) 极间电容 0(pF) 低频噪声系数 0(dB) 漏极电流 0(mA) 耗散功率 0(mW)