N沟MOSF管FDD6670S
| 价 格： | 2.00 |
| 品牌/商标 | FCH美国范恰得 | 型号/规格 | FDD6670S |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | CC/恒流 |
| 封装外形 | SMD(SO)/表面封装 | 材料 | GE-N-FET锗N沟道 |
| 开启电压 | 30（V） | 夹断电压 | 3（V） |
| 跨导 | 0（μS） | 极间电容 | 0（pF） |
| 低频噪声系数 | 0（dB） | 漏极电流 | 0（mA） |
| 耗散功率 | 0（mW） |
- 所属城市：广东 深圳
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场效应三极管AO3401,AO3402
信息内容：品牌/商标 AOS 型号/规格 AO3401,AO3402,AO3404 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 GE-P-FET锗P沟道 开启电压 30（V） 夹断电压 15（V） 跨导 0（μS） 极间电容 0（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 0（mA） 耗散功率 0（mW）
N沟MOSF管IRFL4310
信息内容：品牌/商标 INR美德国际整流器件 型号/规格 IRFL4310 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 CC/恒流 封装外形 CHIP/小型片状 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 100（V） 夹断电压 4（V） 极间电容 330（pF） 漏极电流 1600（mA） 耗散功率 10000（mW） SOT-223, N沟MOS数据列表IRFL4310PbF产品相片IRFL4310TRPBF产品目录绘图IRFL(L) Series Top标准包装2,500类别分离式半导体产品家庭MOSFET，GaNFET - 单系列HEXFET®FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点逻辑电平门开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C200 毫欧 @ 1.6A, 10V漏极至源极电压(Vdss)100VI...
