N沟MOSF管IRFL4310
| 价 格： | 3.00 |
| 品牌/商标 | INR美德国际整流器件 | 型号/规格 | IRFL4310 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | CC/恒流 |
| 封装外形 | CHIP/小型片状 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 100（V） | 夹断电压 | 4（V） |
| 极间电容 | 330（pF） | 漏极电流 | 1600（mA） |
| 耗散功率 | 10000（mW） |
SOT-223, N沟MOS
| IRFL4310PbF |
| IRFL4310TRPBF |
| IRFL(L) Series Top |
| 2,500 |
| 分离式半导体产品 |
| MOSFET，GaNFET - 单 |
| HEXFET® |
| MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 逻辑电平门 |
| 200 毫欧 @ 1.6A, 10V |
| 100V |
| 4V @ 250µA |
| 25nC @ 10V |
| 1.6A |
| 330pF @ 25V |
| 1W |
| 表面贴装 |
| SOT-223（3 引线 + 接片），SC-73，TO-261AA |
| 带卷 (TR) |
| 1377 (CN091-10 PDF) |
| IRFL4310TRPBF-ND IRFL4310TRPBFTR |
FET
- 所属城市：广东 深圳
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P沟MOSF管NDT2955,60v,2.5a
信息内容：品牌/商标 ZET英国XETEX 型号/规格 NDT2955 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 A/宽频带放大 材料 P-FET硅P沟道 夹断电压 60（V） 极间电容 601（pF） 漏极电流 250（mA） 耗散功率 1100（mW） 数据列表NDT2955产品相片SOT-223-4产品培训模块High Voltage Switches for Power ProcessingSMPS Power Switch产品目录绘图MOSFET SOT-223 Pkg标准包装2,500类别分离式半导体产品家庭MOSFET，GaNFET - 单系列-FET 型MOSFET P 通道，金属氧化物FET 特点逻辑电平门开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C300 毫欧 @ 2.5A, 10V漏极至源极电压(Vdss)60VId 时的 Vgs(th)（）4V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs15nC @ 10V电流 - 连续漏极(Id...
N沟MOSF管IRLML2803
信息内容：品牌/商标 Federick美国 型号/规格 IRLML2803 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 A/宽频带放大 封装外形 CHIP/小型片状 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 30（V） 极间电容 85（pF） 漏极电流 12（mA） 耗散功率 540（mW）
