P沟MOSF管NDT2955,60v,2.5a
| 价 格： | 3.00 |
| 品牌/商标 | ZET英国XETEX | 型号/规格 | NDT2955 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | P沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | A/宽频带放大 |
| 材料 | P-FET硅P沟道 | 夹断电压 | 60（V） |
| 极间电容 | 601（pF） | 漏极电流 | 250（mA） |
| 耗散功率 | 1100（mW） |
| NDT2955 |
| SOT-223-4 |
| High Voltage Switches for Power Processing SMPS Power Switch |
| MOSFET SOT-223 Pkg |
| 2,500 |
| 分离式半导体产品 |
| MOSFET，GaNFET - 单 |
| - |
| MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 逻辑电平门 |
| 300 毫欧 @ 2.5A, 10V |
| 60V |
| 4V @ 250µA |
| 15nC @ 10V |
| 2.5A |
| 601pF @ 30V |
| 1.1W |
| 表面贴装 |
| SOT-223，SC-73，TO-261（3 引线 + 接片） |
| 带卷 (TR) |
| 1446 (CN091-10 PDF) |
| NDT2955TR |
- 所属城市：广东 深圳
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N沟MOSF管IRLML2803
信息内容：品牌/商标 Federick美国 型号/规格 IRLML2803 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 A/宽频带放大 封装外形 CHIP/小型片状 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 30（V） 极间电容 85（pF） 漏极电流 12（mA） 耗散功率 540（mW）
P沟MOSF管SI9434DYMOS管P沟道
信息内容：品牌/商标 其他 型号/规格 SI9434DY 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 20（V） 夹断电压 4.5（V） 跨导 0（μS） 极间电容 0（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 0（mA） 耗散功率 0（mW） SO8, P沟MOSFET数据列表SI9434BDY产品相片8-SOIC产品目录绘图DY-T1-(G)E3 Series 8-SOIC标准包装2,500类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列-FET 型MOSFET P 通道，金属氧化物FET 特点逻辑电平门开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C40 毫欧 @ 6.3A, 4.5V漏极至源极电压(Vdss)2...
