P沟MOSF管SI9434DYMOS管P沟道
| 价 格： | 12.00 |
| 品牌/商标 | 其他 | 型号/规格 | SI9434DY |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | P沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 封装外形 | SMD(SO)/表面封装 |
| 材料 | P-FET硅P沟道 | 开启电压 | 20（V） |
| 夹断电压 | 4.5（V） | 跨导 | 0（μS） |
| 极间电容 | 0（pF） | 低频噪声系数 | 0（dB） |
| 漏极电流 | 0（mA） | 耗散功率 | 0（mW） |
SO8, P沟MOSFET
| SI9434BDY |
| 8-SOIC |
| DY-T1-(G)E3 Series 8-SOIC |
| 2,500 |
| 分离式半导体产品 |
| FET - 单路 |
| - |
| MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 逻辑电平门 |
| 40 毫欧 @ 6.3A, 4.5V |
| 20V |
| 4.5A |
| 1.5V @ 250µA |
| 18nC @ 4.5V |
| - |
| 1.3W |
| 表面贴装 |
| 8-SOIC（0.154", 3.90mm 宽） |
| 带卷 (TR) |
| 8-SOICN |
| 1613 (CN2010-11 Interactive) 1613 (CN2010-11 PDF) |
| SI9434BDY-T1-E3TR |
- 所属城市：广东 深圳
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N沟MOSF管FDS6990A
信息内容：品牌/商标 其他 型号/规格 FDS6990A 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 开启电压 10（V） 夹断电压 10（V） 漏极电流 110（mA） 数据列表FDS6690A产品相片8-SOIC Pkg产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing产品变化通告Cu Wirebond Change 12/Oct/2007Mold Compound Change 12/Dec/2007产品目录绘图Power MOSFET, 8-SOP, SO-8标准包装2,500类别分离式半导体产品家庭MOSFET，GaNFET - 单系列PowerTrench®FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点逻辑电平门开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C12.5 毫欧 @ 11A, 10V漏极至源极电压(Vdss)30VId 时的 Vgs(th)（）3V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs16nC @ 5V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C11A在 Vds 时的输入电容(Ciss)1205pF @ 15V功率 - 1W安装类型表面贴装封装/外壳8-SOIC（3.9mm 宽）...
N沟MOSF管FDS6680A
信息内容：品牌/商标 其他 型号/规格 FDS6680A 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 SO8, N沟MOSFET数据列表FDS6680A产品相片8-SOIC产品培训模块High Voltage Switches for Power ProcessingSMPS Power Switch产品变化通告Cu Wirebond Change 12/Oct/2007Mold Compound Change 12/Dec/2007标准包装2,500类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列PowerTrench®FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点逻辑电平门开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C9.5 毫欧 @ 12.5A, 10V漏极至源极电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C12.5AId 时的 Vgs(th)（）3V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs23nC @ 5V在 Vds 时的输入电容(Ciss)1620pF @ 15V功率 - 1W安装类型表面贴装封装/外壳8-SOIC（0.154", 3.90mm 宽）包装带卷 (TR)供应商设备封装8-SOICN
