N沟MOSF管FDS6990A
| 价 格： | 2.40 |
| 品牌/商标 | 其他 | 型号/规格 | FDS6990A |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 开启电压 | 10（V） |
| 夹断电压 | 10（V） | 漏极电流 | 110（mA） |
| FDS6690A |
| 8-SOIC Pkg |
| High Voltage Switches for Power Processing |
| Cu Wirebond Change 12/Oct/2007 Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| Power MOSFET, 8-SOP, SO-8 |
| 2,500 |
| 分离式半导体产品 |
| MOSFET，GaNFET - 单 |
| PowerTrench® |
| MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 逻辑电平门 |
| 12.5 毫欧 @ 11A, 10V |
| 30V |
| 3V @ 250µA |
| 16nC @ 5V |
| 11A |
| 1205pF @ 15V |
| 1W |
| 表面贴装 |
| 8-SOIC（3.9mm 宽） |
| 带卷 (TR) |
- 所属城市：广东 深圳
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N沟MOSF管FDS6680A
信息内容：品牌/商标 其他 型号/规格 FDS6680A 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 SO8, N沟MOSFET数据列表FDS6680A产品相片8-SOIC产品培训模块High Voltage Switches for Power ProcessingSMPS Power Switch产品变化通告Cu Wirebond Change 12/Oct/2007Mold Compound Change 12/Dec/2007标准包装2,500类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列PowerTrench®FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点逻辑电平门开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C9.5 毫欧 @ 12.5A, 10V漏极至源极电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C12.5AId 时的 Vgs(th)（）3V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs23nC @ 5V在 Vds 时的输入电容(Ciss)1620pF @ 15V功率 - 1W安装类型表面贴装封装/外壳8-SOIC（0.154", 3.90mm 宽）包装带卷 (TR)供应商设备封装8-SOICN
N沟MOSF管IRF3315S
信息内容：品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRF3315S 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 A/宽频带放大 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 150（V） 夹断电压 4（V） 跨导 1（μS） 极间电容 25（pF） 低频噪声系数 10（dB） 漏极电流 1（mA） 耗散功率 1（mW） TO-263(D2-PAK) 12V-400V, N沟MOSFET数据列表IRF3315(S,L)PbF产品相片D2PAK, TO-263产品目录绘图IR Hexfet D2PAK标准包装50类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列HEXFET®FET 型...
