N沟MOSF管IRF3315S
| 价 格： | 1.00 |
| 品牌/商标 | IR美国国际整流器公司 | 型号/规格 | IRF3315S |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | A/宽频带放大 |
| 封装外形 | SMD(SO)/表面封装 | 材料 | GE-N-FET锗N沟道 |
| 开启电压 | 150（V） | 夹断电压 | 4（V） |
| 跨导 | 1（μS） | 极间电容 | 25（pF） |
| 低频噪声系数 | 10（dB） | 漏极电流 | 1（mA） |
| 耗散功率 | 1（mW） |
TO-263(D2-PAK) 12V-400V, N沟MOSFET
| IRF3315(S,L)PbF |
| D2PAK, TO-263 |
| IR Hexfet D2PAK |
| 50 |
| 分离式半导体产品 |
| FET - 单路 |
| HEXFET® |
| MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 标准型 |
| 82 毫欧 @ 12A, 10V |
| 150V |
| 21A |
| 4V @ 250µA |
| 95nC @ 10V |
| 1300pF @ 25V |
| 3.8W |
| 表面贴装 |
| TO-263-3, D²Pak (2 引线+接片), TO-263AB |
| 管件 |
| D2PAK |
| *IRF3315SPBF |
- 所属城市：广东 深圳
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P沟MOSF管IRF9953
信息内容：品牌/商标 其他 型号/规格 IRF9953 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 30（V） 夹断电压 2.3（V） 跨导 0（μS） 极间电容 0（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 0（mA） 耗散功率 0（mW）
N沟MOSF管IRFR110
信息内容：品牌/商标 ZET英国XETEX 型号/规格 IRFR110 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 CHOP/斩波、限幅 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 100（V） 夹断电压 100（V） 极间电容 180（pF） 漏极电流 430（mA） 耗散功率 250（mW） 数据列表IRFR110, IRFU110产品相片IRFR110TRPBF产品目录绘图IR(F,L)Z Series Side 1IR(F,L)Z Series Side 2标准包装2,000类别分离式半导体产品家庭MOSFET，GaNFET - 单系列-FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点标准型开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C540 毫欧 @ 2.6A, 10V漏极至源极电压(Vdss)10...
