P沟MOSF管IRF9953
| 价 格： | 4.00 |
| 品牌/商标 | 其他 | 型号/规格 | IRF9953 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | P沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 封装外形 | SMD(SO)/表面封装 |
| 材料 | P-FET硅P沟道 | 开启电压 | 30（V） |
| 夹断电压 | 2.3（V） | 跨导 | 0（μS） |
| 极间电容 | 0（pF） | 低频噪声系数 | 0（dB） |
| 漏极电流 | 0（mA） | 耗散功率 | 0（mW） |
- 所属城市：广东 深圳
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N沟MOSF管IRFR110
信息内容：品牌/商标 ZET英国XETEX 型号/规格 IRFR110 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 CHOP/斩波、限幅 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 100（V） 夹断电压 100（V） 极间电容 180（pF） 漏极电流 430（mA） 耗散功率 250（mW） 数据列表IRFR110, IRFU110产品相片IRFR110TRPBF产品目录绘图IR(F,L)Z Series Side 1IR(F,L)Z Series Side 2标准包装2,000类别分离式半导体产品家庭MOSFET，GaNFET - 单系列-FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点标准型开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C540 毫欧 @ 2.6A, 10V漏极至源极电压(Vdss)10...
N沟MOSF管IRFZ46NS，欢迎来电
信息内容：品牌/商标 ZET英国XETEX 型号/规格 IRFZ46NS 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 A/宽频带放大 封装外形 LLCC/无引线陶瓷片载 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 55（V） 夹断电压 55（V） 极间电容 1696（pF） 漏极电流 280（mA） 耗散功率 380（mW） 数据列表IRFZ46NSPbF, IRFZ46NLPbF产品相片D2PAK Pkg产品目录绘图D2Pak Side标准包装800类别分离式半导体产品家庭MOSFET，GaNFET - 单系列HEXFET®FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点标准型开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C16.5 毫欧 @ 28A, 10V漏极至源极电压(Vdss)55VId 时的 Vgs(th)（）4...
