N沟MOSF管IRFR110
| 价 格： | 5.00 |
| 品牌/商标 | ZET英国XETEX | 型号/规格 | IRFR110 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | CHOP/斩波、限幅 |
| 封装外形 | SMD(SO)/表面封装 | 材料 | P-FET硅P沟道 |
| 开启电压 | 100（V） | 夹断电压 | 100（V） |
| 极间电容 | 180（pF） | 漏极电流 | 430（mA） |
| 耗散功率 | 250（mW） |
| IRFR110, IRFU110 |
| IRFR110TRPBF |
| IR(F,L)Z Series Side 1 IR(F,L)Z Series Side 2 |
| 2,000 |
| 分离式半导体产品 |
| MOSFET，GaNFET - 单 |
| - |
| MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 标准型 |
| 540 毫欧 @ 2.6A, 10V |
| 100V |
| 4V @ 250µA |
| 8.3nC @ 10V |
| 4.3A |
| 180pF @ 25V |
| 2.5W |
| 表面贴装 |
| DPak, SC-63,TO-252(2引线+接片) |
| 带卷 (TR) |
| 1380 (CN091-10 PDF) |
| IRFR110PBFTR |
- 所属城市：广东 深圳
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N沟MOSF管IRFZ46NS，欢迎来电
信息内容：品牌/商标 ZET英国XETEX 型号/规格 IRFZ46NS 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 A/宽频带放大 封装外形 LLCC/无引线陶瓷片载 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 55（V） 夹断电压 55（V） 极间电容 1696（pF） 漏极电流 280（mA） 耗散功率 380（mW） 数据列表IRFZ46NSPbF, IRFZ46NLPbF产品相片D2PAK Pkg产品目录绘图D2Pak Side标准包装800类别分离式半导体产品家庭MOSFET，GaNFET - 单系列HEXFET®FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点标准型开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C16.5 毫欧 @ 28A, 10V漏极至源极电压(Vdss)55VId 时的 Vgs(th)（）4...
N沟MOSF管IRFR4104, 40v,42a,
信息内容：品牌/商标 ZET英国XETEX 型号/规格 IRFR4104 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 40（V） 夹断电压 40（V） 极间电容 2950（pF） 漏极电流 420（mA） 耗散功率 140（mW） TO-252(D-PARK) 20V-800V, N沟MOSFE数据列表IRFR4104PbF, IRFU4104PbF产品相片DPAK Pkg产品目录绘图D Pak Side标准包装2,000类别分离式半导体产品家庭MOSFET，GaNFET - 单系列HEXFET®FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点标准型开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C5.5 毫欧 @ 42A, 10V漏极至源极电压(Vdss)40VId 时的 Vgs(th)（）4V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs89nC @...
