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N沟MOSF管IRFR4104, 40v,42a,

价 格: 5.00

品牌/商标 ZET英国XETEX 型号/规格 IRFR4104
种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道
导电方式 增强型 封装外形 SMD(SO)/表面封装
材料 P-FET硅P沟道 开启电压 40(V)
夹断电压 40(V) 极间电容 2950(pF)
漏极电流 420(mA) 耗散功率 140(mW)

TO-252(D-PARK) 20V-800V, N沟MOSFE

数据列表产品相片产品目录绘图标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C漏极至源极电压(Vdss)Id 时的 Vgs(th)()闸电荷(Qg) @ Vgs电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - 安装类型封装/外壳包装其它名称
IRFR4104PbF, IRFU4104PbF
DPAK Pkg
D Pak Side
2,000
分离式半导体产品
MOSFET,GaNFET - 单
HEXFET®
MOSFET N 通道,金属氧化物
标准型
5.5 毫欧 @ 42A, 10V
40V
4V @ 250µA
89nC @ 10V
42A
2950pF @ 25V
140W
表面贴装
DPak, SC-63,TO-252(2引线+接片)
带卷 (TR)
IRFR4104PBFTR
IRFR4104TRPBF-ND
IRFR4104TRPBFTR-ND

T

深圳市钜腾电子有限公司
公司信息未核实
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Microchip - 锂电池充电芯片 MCP73113/4, MCP73123

信息内容:

品牌/商标 MICROCHIP 型号/规格 MCP73113 封装 SOIC10 批号 11+ 类型 通信IC MCP73113/4 是高度集成的鋰離子電池充電管理控制器,可用於空間受限且對成本敏感的應用。MCP73113/4 器件可以為鋰離子/ 鋰聚合物電池提供特定的充電演算法,以在最短的充電時間內獲得最優的電量和安全性。除了物理尺寸小巧以外,外部組件數量少也使得MCP73113/4 非常適合於可擕式應用。MCP73113/4 的絕對電壓可達18V,因此可以在由於使用低成本壁式適配器或插拔插頭而導致的高電壓峰值等惡劣環境下使用。MCP73113/4 器件採用恒流/ 恒壓充電演算法。多種充電電壓調節使得設計工程師可以靈活地將其用於各種應用。對於快速充電,通過一個外部電阻將恒流值設置在130 mA 至1100 mA 範圍內。MCP73113/4 器件在高功率或高環境溫度條件下會根據管芯溫度限制充電電流。熱調節優化了充電週期,同時維持器件的穩定性。MCP73113/4 的PROG 引腳還充當使能引腳。設置為高阻抗時, MCP73113/4 將工作在待機模式下...

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P沟MOSF管NDS8433A

信息内容:

品牌/商标 其他 型号/规格 FDS8433A 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 20(V) 夹断电压 10(V)

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