P沟MOSF管NDS8433A
| 价 格： | 3.00 |
| 品牌/商标 | 其他 | 型号/规格 | FDS8433A |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | P沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 封装外形 | SMD(SO)/表面封装 |
| 材料 | P-FET硅P沟道 | 开启电压 | 20（V） |
| 夹断电压 | 10（V） |
- 所属城市：广东 深圳
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N沟MOSF管IRFZ24NS
信息内容：品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRFZ24NS 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 A/宽频带放大 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 55（V） 夹断电压 55（V） 极间电容 370（pF） 漏极电流 170（mA） 耗散功率 3800（mW） TO-263(D2-PAK) 12V-400V, N沟MOSFET数据列表IRFZ24NS(LPbF)产品相片IRFS4228TRLPBF标准包装800类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列HEXFET®FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点标准型开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C70 毫欧 @ 10A, 10V漏极至源极电压(Vdss)55V电流 - 连续漏极(...
N沟MOSF管NDT3055L。FAIRCHILD
信息内容：品牌/商标 FAIRCHILD/仙童 型号/规格 NDT3055L 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 IGBT绝缘栅比极 开启电压 60（V） 夹断电压 2（V） 跨导 0（μS） 极间电容 0（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 0（mA） 耗散功率 0（mW）
